Characterization of in-situ Doped Polycrystalline Silicon Using Schottky Diodes and Admittance Spectroscopy
| Автори | H. Ayed1, L. Béchir1, M. Benabdesslem1, N. Benslim1, L. Mahdjoubi1, T. Mohammed-Brahim2, A. Hafdallah3, M.S. Aida3 |
| Приналежність | 1 Laboratoire Cristaux et Couches Minces, Faculté des Sciences, Dpt de Physique 1(LESIMS), Université Badji Mokhtar BP.12 Annaba, 23000, Algérie 2 GM-IETR, Université RENNES I, 35042 Rennes Cedex, France 3 Laboratory of Thin Films and Interfaces, Faculty of Science, Department of Physics, University of Constantine 1, 25000 Algeria |
| Е-mail | ayedhami@yahoo.fr |
| Випуск | Том 8, Рік 2016, Номер 1 |
| Дати | Одержано 28.07.201, опубліковано online 15 March 2016 |
| Посилання | H. Ayed, L. Béchir, et al., J. Nano- Electron. Phys. 8 No 1, 01038 (2016) |
| DOI | 10.21272/jnep.8(1).01038 |
| PACS Number(s) | 85.30.Hi, 85.30.Kk |
| Ключові слова | Schottky Diodes (2) , Characterisation (2) , Polycrystalline silicon, Admittance Spectroscopy. |
| Анотація | In this work, Schottky Au-Polycrystalline silicon diodes are successfully realised. The barrier height is around ФB = 0.74 eV as determined from Capacitance – Bias (C-V) characteristics. The depth profile of the apparent doping is deduced from these measurements. Its behaviour leads to the experimental profile. Moreover, the diode admittance measurements versus the frequency and the temperature at different biases show the possibility to use this device to characterise the electrical quality of the polycrystalline silicon. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Temperature Dependent IR-Drop Analysis in Graphene Nanoribbon Based Power Interconnect [01001-1-01001-4]2) Вплив температури на структурні та магнітні властивості наночастинок феритів системи NixCo1 – xFe2O4 [01002-1-01002-6]
3) Вплив оксиду ітрію на розподіл міжвузлових атомів у порошковому залізі [01003-1-01003-5]
4) Електрохімічні властивості мезопористого γ-Fe2O3, синтезованого цитратним золь-гель методом [01004-1-01004-5]
5) Контраст електронномікроскопічних зображень аморфних об’єктів [01005-1-01005-7]
6) Отримання та властивості наноструктурованих ZnS та ZnO [01006-1-01006-4]
7) Study of Light Trapping Scheme to Improve Performance of Silicon Solar Cells [01007-1-01007-4]
8) A Comparative Study the Calculation of the Optical Gap Energy and Urbach Energy in Undoped and Indium Doped ZnO Thin Films [01008-1-01008-5]
9) Simulation of Hetero-junction (GaInP/GaAs) Solar Cell Using AMPS-1D [01009-1-01009-3]
10) Фононний спектр кристалів твердих розчинів заміщення InxTl1 – xI [01010-1-01010-5]
11) Енергетична структура β´-фази кристалу Ag8SnSe6 [01011-1-01011-5]
12) Дослідження мікро- та наноструктури міжшарових поверхонь сколювання шаруватих кристалів InSe, інтеркальованих нікелем [01012-1-01012-11]
13) Поверхневі поляритони з негативною груповою швидкістю в структурі з перехідним шаром [01013-1-01013-3]
14) Застосування ядерного скануючого мікрозонду для дослідження радіаційно-стимулюючої міграції домішок по границях зерен у конструкційних матеріалах [01014-1-01014-3]
15) Effect of Temperature on the AlGaAs/GaAs Tandem Solar Cell for Concentrator Photovoltaic Performances [01015-1-01015-4]
16) Електротранспортні властивості підданих ультрафіолетовому опроміненню вуглецевих нанотрубок [01016-1-01016-4]
17) Аналіз перколяційної поведінки електропровідності систем на основі поліетерів та вуглецевих нанотрубок [01017-1-01017-7]
18) Вплив відпалювання на структурно-фазовий стан і магнітоопір тришарових плівкових систем на основі Ni і V та Ni і Ag або Au [01018-1-01018-6]
19) Peculiarities of Stark-phonon Resonance in Two-dimensional Superlattices with Non-additive Energy Spectrum [01019-1-01019-3]
20) New Relativistic Atomic Mass Spectra of Quark (u, d and s) for Extended Modified Cornell Potential in Nano and Plank’s Scales [01020-1-01020-7]
21) The Nonrelativistic Ground State Energy Spectra of Potential Counting Coulomb and Quad-ratic Terms in Non-commutative Two Dimensional Real Spaces and Phases [01021-1-01021-6]
22) Fabrication and Excellent Dielectric Performance of Exfoliated Graphite Sheets [01022-1-01022-3]
23) Biosensor Scheme for the Determination of Intracellular Pressure of Erythrocyte [01023-1-01023-3]
24) Математичні моделі сенсорів мікропереміщень та тиску на основі збурення електричного поля поверхневих акустичних хвиль [01024-1-01024-5]
25) Simulation and Finite Element Analysis of Electrical Characteristics of Gate-all-Around Junctionless Nanowire Transistors [01025-1-01025-5]
26) Dyes Extracted from Safflower, Medicago Sativa, and Ros Marinus Oficinalis as Photosensitizers for Dye-sensitized Solar Cells [01026-1-01026-5]
27) Попередження можливих руйнувань оптичних елементів точного приладобудування в умовах зовнішніх термодій [01027-1-01027-6]
28) Атомістичне моделювання властивостей ультратонкого шару рідкого аргону, стиснутого між алмазними поверхнями [01028-1-01028-8]
29) Про частотні характеристики електричних полів циліндричної п’єзокерамічної антени з екраном у вигляді незамкнутого кільцевого шару [01029-1-01029-6]
30) Calculation of Intracellular Pressure of Red Blood Cells at Jaundice According to Atomic Force Microscopy Data [01030-1-01030-4]
31) Структура та морфологія нанокристалічних кальцифікатів щитоподібної залози [01031-1-01031-6]
32) Ін'єкційні біополімер-гідроксиапатитні гідрогелі та їх характеристика [01032-1-01032-8]
33) Наноструктурна модифікація політетрафторетилену та його композиції енергетичним впливом [01033-1-01033-5]
34) Динамічна поведінка газових нанорозмірних бульбашоку рідкій фазі електроосаджуваного металу [01034-1-01034-6]
35) Synthesis of Cuprous Oxide (Cu2O) Nanoparticles – a Review [01035-1-01035-5]
36) Novel Facile Technique for Synthesis of Stable Cuprous Oxide (Cu2O) Nanoparticles – an Ageing Effect [01036-1-01036-4]
37) Facile Rapid Synthesis of Polyaniline (PANI) Nanofibers [01037-1-01037-3]
38) Вплив адсорбції іонів хрому на фотолюмінесцентні властивості діоксиду титану [01039-1-01039-10]
39) An Experimental Insight into the ZnO Thin Films Properties Prepared by Dip Coating Technique [01040-1-01040-5]
40) Comparison of Three Dimensional Partially and Fully Depleted SOI MOSFET Characteristics Using Mathcad [01041-1-01041-4]
41) Структурна інженерія вакуумно-дугових багатошарових покриттів ZrN/CrN [01042-1-01042-5]
42) Вплив на механічні характеристики товщини шарів у багатошарових покриттях MoN / CrN, осаджених під дією негативного потенціалу зміщення [01043-1-01043-5]
43) Чисельне дослідження законів надповільної дифузії для певного класу неперервних у часі випадкових блукань [01044-1-01044-5]
