Константи електрон-фононної взаємодії для оптичних та міждолинних фононів в n-Ge

Автори С.В. Луньов, О.В. Бурбан
Приналежність

Луцький національний технічний університет, вул. Львівська, 75, 43018 Луцьк, Україна

Е-mail luniovser@mail.ru
Випуск Том 6, Рік 2014, Номер 1
Дати Одержано 10.10.2013, опубліковано online - 06.04.2014
Посилання S.V. Luniov, O.V. Burban, J. Nano- Electron. Phys. 6 No 1, 01020 (2014)
DOI
PACS Number(s) 72.10. – d, 72.20.Fr
Ключові слова Внутрідолинне та міждолинне розсіяння, Константи електрон-фононної взаємодії, Еліпсоїд обертання, Тензор ефективної маси, L1 модель зони провідності монокристалів n-Ge.
Анотація The electron scattering in case four-ellipsoidal, two-ellipsoidal and single-ellipsoidal L1-model of conduction band of Germanium is investigated. The constants of electron-phonon interaction for optical Ξ430 = 4·108 eV/cm and intervalley phonon Ξ320 = 1,4·108 eV/cm on base of the theory of anisotropy scattering and experimental temperature dependences resistivity are defined. The scattering by optical and intervalley phonon is significant in four-ellipsoidal L1-model of conduction band of n-Ge is shown. The scattering by acoustic phonons is dominated in two and single-valley L1-model.

Перелік посилань