Simulation Study on the Open-Circuit Voltage of Amorphous Silicon p-i-n Solar Cells Using AMPS-1D
| Автори | B.M. Omer1,2 , F.A. Mohammed3, A. Seed Ahmed Mahgoub2,4 |
| Приналежність | 1 Department of Physics, College of Science and Arts-Ranyah, Taif University, Ranyah - Kingdom Saudi Arabia 2 Department of Applied Physics and Mathematics, Faculty of Applied Science and Computer, Omdurman Ahlia University, P.O. Box 786, Omdurman - Sudan 3 Department of Mathematics and Physics, Faculty of Education, University of Kassala, Kassala - Sudan 4 Department of Physics, Faculty of Education, University of Khartoum, P.O.Box 406, Khartoum - Sudan |
| Е-mail | bushra_omer4@yahoo.com |
| Випуск | Том 6, Рік 2014, Номер 1 |
| Дати | Одержано 22.09.2013, опубліковано online - 06.04.2014 |
| Посилання | B.M. Omer, F.A. Mohammed, A. Seed Ahmed Mahgoub, J. Nano- Electron. Phys. 6 No 1, 01006 (2014) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 78.20.Bh, 73.40.Lq |
| Ключові слова | AMPS-1D (10) , Modeling (20) , Amorphous Silicon solar cell, Open-circuit voltage. |
| Анотація | AMPS-1D (Analysis of Microelectronic and Photonic Structure) simulation program was used to simulate Amorphous Silicon p-i-n Solar Cell. The simulated result of illuminated current density-voltage characteristics was in a good agreement with experimental values. The dependence of the open-circuit voltage on the characteristics of the a-Si:H intrinsic layer was investigated. The simulation result shows that the open-circuit voltage does not depend on the thickness of the intrinsic layer. The open-circuit voltage decreases when the front contact barrier height is small or the energy gap of the intrinsic layer is small. The open-circuit voltage increases when the distribution of the tail states is sharp or the capture cross sections of these states are small. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Нанокомпозитні апатит-біополімерні матеріали та покриття для біомедичного застосування [01001-1-01001-16]2) Дослідження кластерної структури води з аналізу температурних залежностей спектрів комбінаційного розсіювання світла [01002-1-01002-4]
3) Natural Dye Extracts of Areca Catechu Nut as dye Sensitizer for Titanium dioxide Based Dye Sensitized Solar Cells [01003-1-01003-4]
4) The Design of a Low Power MEMS Based Micro-hotplate Device Using a Novel Nickel Alloy for Gas Sensing Applications [01004-1-01004-5]
5) Synthesis, Characterization and Density Functional Study of LiMn1.5Ni 0.5O4 Electrode for Lithium ion Battery [01005-1-01005-5]
6) Effect of Composition on Optical and Thermoelectric Properties of Microstructured p-type (Bi2Te3)x(Sb2Te3)1 – x Alloys [01007-1-01007-6]
7) Synthesis and Characterization of Nickel Ferrite: Role of Sintering Temperature on Structural Parameters [01008-1-01008-4]
8) Дослідження нанофотонного сенсора з електродом модифікованим напівпровідниковими квантовими точками [01009-1-01009-7]
9) Отримання тонких плівок нанокомпозитів на основікарбазолу з газової фази та їх властивості [01010-1-01010-3]
10) A Planar Interdigital Sensor for Bio-impedance Measurement: Theoretical analysis, Optimization and Simulation [01011-1-01011-7]
11) Трибологічні властивості нанорозмірних систем, що містять вуглецеві поверхні [01012-1-01012-12]
12) Наноелектроніка: термоелектричні явища в концепції «знизу-вгору» [01013-1-01013-9]
13) Вплив розчинника на мікроструктуру Bi2Te3 отриманого мікрохвильовим сольватермальним методом [01014-1-01014-6]
14) Аналіз теплопровідності полімерних нанокомпозитів наповниних вуглецевими нанотрубками та технічним вуглецем [01015-1-01015-6]
15) Отримання плівок ZnSe методом гідрохімічного осадження [01016-1-01016-4]
16) Морфологія та електрохімічні властивості термічно модифікованого нанопористого вуглецю як електроду літієвих джерел струму [01017-1-01017-6]
17) Ефект аномального збільшення анодного току у діодних структурах [01018-1-01018-3]
18) Модельна оцінка впливу розмірів, форми та стану поверхні нанокристалів апатиту на відхилення співвідношення Са / Р від стехіометричного значення [01019-1-01019-5]
19) Константи електрон-фононної взаємодії для оптичних та міждолинних фононів в n-Ge [01020-1-01020-5]
20) Сила осциляторів квантових переходів у багатошарових резонансно-тунельних структурах як базових елементах квантових каскадних лазерів та детекторів у поперечному магнітному полі [01021-1-01021-6]
21) Експериментальне моделювання режимів фокусування електронних пучківу аксіально-симетричних системах [01022-1-01022-8]
22) Анізотропний хімічний реактор з кореляційно-спектроскопічним контролем розмірів на-ночастинок [01023-1-01023-4]
23) Автоматизація системи дослідження нелінійних процесів в електровакуумних приладах з відкритими резонансними періодичними структурами [01024-1-01024-5]
24) Контрольоване поверхневою кінетикою визрівання Оствальда пласких включень на межі зерен [01025-1-01025-7]
25) Вимірювання емітансу пучка іонів електростатичного прискорювача [01026-1-01026-3]
26) Про один підхід до блокування голдстоунівської моди сегнетоелектричного рідкого кристалу [01027-1-01027-5]
27) Теорія Ландау в області фазових переходів першого роду [01028-1-01028-8]
28) Зародкоутворення золота в електричному полі на поверхні темплату [01029-1-01029-6]
29) Formation of Biphasic State in Vacuum-Arc Coatings Obtained by Evaporation of Ti-Al-Zr-Nb-Y Alloy in the Atmosphere of Nitrogen [01030-1-01030-3]
30) Magnetoresistive Properties of Quasi Granular Film Alloys FeхPt1 – х at the Low Concentration of Pt Atoms [01031-1-01031-5]
31) Електропровідність тришарових полікристалічних плівок Co/Ag(Cu)/Fe в умовах взаємодифузії атомів [01032-1-01032-5]
