Features of Structure of Magnetron Films Si3N4 and SiC

Автори A.P. Kuzmenko1 , A.S. Chekadanov2 , S.V. Zakhvalinsky2, E.A. Pilyuk2, M.B. Dobromyslov3
Приналежність

1 Southwest State University, 94, 50 Let Oktyabrya Str., 305040 Kursk, Russia

2 Belgorod State National Research University, 85, Pobedy Str., 308015 Belgorod, Russia

3 Pacific National University, 136, Tihookeanskaya Str., 680035 Khabarovsk, Russia

Е-mail
Випуск Том 5, Рік 2013, Номер 4
Дати Одержано 24.10.2013, опубліковано online - 10.12.2013
Посилання A.P. Kuzmenko, A.S. Chekadanov, S.V. Zakhvalinsky, et al., J. Nano- Electron. Phys. 5 No 4, 04025 (2013)
DOI
PACS Number(s) 61.10.Eq
Ключові слова Small-angle X-ray scattering (6) , Atomic force microscopy (9) , Silicon nitride (2) , Silicon carbide (9) , Thin films (60) .
Анотація By small-angle X-ray scattering and atomic force microscopy shows the features of the structure of thin films of Si3N4 and SiC, deposited by magnetron sputtering on glass substrates.

Перелік посилань