Автори | Л.П. Стебленко1 , О.О. Коротченков1 , А.О. Подолян1 , Д.В. Калініченко1 , А.М. Курилюк1 , Ю.Л. Кобзар1 , О.М. Кріт2, С.М. Науменко1 |
Афіліація | 1 Київський національний університет імені Тараса Шевченка, фізичний факультет,кафедра фізики металі, вул. Володимирська, 64/13, 01601 Київ, Україна 2 Навчально-науковий центр «Фізико-хімічне матеріалознавство» Київського національного університету імені Тараса Шевченка, 01601 Київ, Україна |
Е-mail | |
Випуск | Том 7, Рік 2015, Номер 1 |
Дати | Одержано 12.09.2014, у відредагованій формі - 17.02.2015, опубліковано online - 25.03.2015 |
Цитування | Л.П. Стебленко, О.О. Коротченков, А.О. Подолян, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 1, 01036 (2015) |
DOI | |
PACS Number(s) | 68.35.bg, 61.43.Dq, 61.72.Hh, 73.40.Qv |
Ключові слова | Solar-Si (2) , Час життя носіїв (2) , Магнітне поле (31) , Заряджені домішки. |
Анотація | Вивчено вплив слабкого стаціонарного магнітного поля на кінетику спаду фото-ЕРС в кристалах solar-Si. Встановлені особливості в поведінці електрофізичних параметрів показали, що короткотривала і довготривала компоненти спаду фото-ЕРС визначаються тривалістю магнітної обробки. Короткий час магнітної обробки призводить до збільшення, а тривала магнітна обробка викликає зменшення обох компонент спаду фото-ЕРС в порівнянні з контрольними кристалами. Виявлено, що характер магнітостимульованої зміни кінетики фото-ЕРС корелює з зарядовим станом поверхні. |
Перелік посилань |