Електрохімічні властивості гібридних суперконденсаторів, сформованих на основі нанорозмірної шпінелі LiMn1.5Fe0.5O4

Автори	Т.Я. Бойчук¹, І.М. Будзуляк¹ , Н.Я. Іванічок², Р.П. Лісовський² , Б.І. Рачій¹
Афіліація	¹ Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, вул. Шевченка, 57, 76000 Івано-Франківськ, Україна ² Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України, бульв. акад. Вернадського, 36 03680, ГСП, Київ-142, Україна
Е-mail
Випуск	Том 7, Рік 2015, Номер 1
Дати	Одержано 10.09.2014, у відредагованій формі - 09.03.2015, опубліковано online - 25.03.2015
Цитування	Т.Я. Бойчук, І.М. Будзуляк, Н.Я. Іванічок, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 1, 01019 (2015)
DOI
PACS Number(s)	65.40.Gk, 82.45. – h
Ключові слова	Конденсатор (20) , Шпінель (6) , Питома поверхня (7) , Гальваностатичний розряд, ЦВА.
Анотація	Проведено електрохімічні дослідження ГЕК на основі пористого вуглецевого матеріалу та аноду на основі LiMn1.5Fe0.5O4. Показано, що ступінь кристалічності шпінелі зростає зі збільшенням температури синтезу. Встановлено, що найкращими експлуатаційними параметрами володіє ГЕК з анодом на основі шпінелі, синтезованої при температурі 1073 К, що пояснюється відсутністю аморфної складової та інтенсивною інтеркаляцією іонів літію в нанорозмірні частинки аноду.
	Перелік посилань Повний текст English version of article

Інші статті цього номера

1) Effect of Electron Beam Irradiation on Structural, Electrical and Thermo-electric Power of La0.8Sr0.2MnO3 [01001-1-01001-5]
2) Projected Range, Straggling and Sputtering Yield of the Ion-Impingement of Inert Gases in Group IV, InP and GaAs Semiconductors [01002-1-01002-6]
3) Modeling of Etching Nano-surfaces of Indium Phosphide [01003-1-01003-3]
4) Analysis of Voltage Transfer Characteristics of Nano-scale SOI CMOS Inverter with Variable Channel Length and Doping Concentration [01004-1-01004-4]
5) Structural and Mechanical Properties of Fluorinated SWCNTs: a DFT Study [01005-1-01005-4]
6) Confined Energy State Based Hypothetical Observations about Device Parameters of AlGaN / GaN HEMT [01006-1-01006-3]
7) Linewidth of Cyclotron Absorption in Band-Gap Graphene: Relaxation Time Approximation vs. Monte Carlo Method [01007-1-01007-5]
8) Deposition of Cadmium Sulphide Thin Films by Photochemical Deposition and Characterization [01008-1-01008-3]
9) Silicon Photodetectors Matrix Coordinate Bipolar Functionally Integrated Structures [01009-1-01009-3]
10) Two Approaches in Computer Simulation of the MFM-images [01010-1-01010-3]
11) Investigation of the Irradiation Influence with High-energy Electronson the Electrical Parameters of the IGBT-transistors [01011-1-01011-3]
12) Charge States of Bare Silicon Clusters up to Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method [01012-1-01012-7]
13) Film Growth Based on an Organic Basis for Photovoltaic p-Cells [01013-1-01013-4]
14) Плівки сульфіду олова, отримані сульфурізацією прекурсорів з електроосадженного олова [01014-1-01014-9]
15) Негативний фотодіелектричний ефект у структурах плівка фулерену-плівка сегнетоелектричного рідкого кристалу [01015-1-01015-5]
16) Вплив нанорозмірного прошарку оксиду олова на ефективність фотоелектричних процесів у плівкових сонячних елементах на основі телуриду кадмію [01016-1-01016-6]
17) Теоретичне дослідження енергетичних характеристик штучного рецептора на меламін у предполімерізаціонной фазі [01017-1-01017-5]
18) Нанокомпозити на основі полібутилентерефталату, синтезованого з циклічних олігомерів бутилентерефталату та мультистінних вуглецевих нанотрубок [01018-1-01018-6]
19) Спінові хвилі у феромагнітній плівці з періодичною системою антиточок [01020-1-01020-5]
20) Використання поруватих з'єднань А3В5 для обкладинок суперконденсатора [01021-1-01021-4]
21) Плівкові композиційні матеріали на основі гідроксилапатиту і полівінілового спирту [01022-1-01022-5]
22) Синтез та вивчення властивостей наноферитів, отриманих методом золь-гель за участі автогоріння [01023-1-01023-9]
23) Морфологія острівцевих систем, що формуються при плавленні суцільних плівок Bi на Ge та SiO2 підкладках [01024-1-01024-4]
24) Діагностика реконструкції поверхні золота методами багатокутові еліпсометрії [01025-1-01025-6]
25) Закономірності формування структури покриттів CrN, отриманих вакуумно-дуговим випаровуванням в атмосфері азоту [01026-1-01026-4]
26) Феромагнетизм при кімнатній температурі в шаруватих напівпровідникових кристалах InTe, інтеркальованих кобальтом [01027-1-01027-5]
27) Вплив гідротермальної обробки на фазовий склад діоксиду титану, отриманого методом гідролізу Ti(OC4H9)4 [01028-1-01028-5]
28) Особливості напруженого стану германієвих нанокристалів в матриці SiOx [01029-1-01029-5]
29) FLUX – програмний пакет для обчислення характеристик синхротронного випромінювання [01030-1-01030-6]
30) Вплив розмірів наповнювача на перколяційну поведінку системи поліетиленгліколь / вуглецеві нанотрубки [01031-1-01031-6]
31) Ріст нанокристалів золота у суміші первинних спиртів [01032-1-01032-10]
32) Вплив лазерного відпалювання на морфологію поверхні та оптичні характеристики нанокремнієвих плівок [01033-1-01033-5]
33) Структурна інженерія багатошарової системи TiN / CrN, отриманої вакуумно-дуговим випаровуванням [01034-1-01034-6]
34) Окислення цирконію після опромінення іонами аргону [01035-1-01035-4]
35) Особливості кінетики спаду фото-ЕРС в кристалах кремнію, які використовуються в сонячній енергетиці, обумовлені дією слабкого стаціонарного магнітного поля [01036-1-01036-4]
36) Віріальні коефіцієнти для термодинамічних систем з псевдопотенціалом Хіла [01037-1-01037-6]
37) Розробка фізичних основ ємнісного акустичного методу дефектоскопії металів [01038-1-01038-5]
38) Вплив зовнішньої періодичної дії на кінетику фрагментації металівпри інтенсивній пластичній деформації [01039-1-01039-11]
39) Вплив іонної імплатнації Au– на мікроструктуру аморфно-нанокристалічного AlN-TiB2-TiSi2 [01040-1-01040-5]
40) Триботехнічні характеристики багатоелементних покриттів на основі нітридів Ti, Zr, Cr, Nb, Si, отриманих за допомогою вакуумно-дугових методів осадження [01041-1-01041-5]