Автори | Н.П. Клочко1 , О.В. Момотенко1, В.М. Любов1 , Н.Д. Волкова2 , В.Р. Копач1 , Г.С. Хрипунов1 , М.В. Кириченко1 , Р.В. Зайцев1 |
Афіліація | 1 Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Фрунзе, 21, 61002 Харків, Україна 2 Національний аерокосмічний університет «Харківський авіаційний інститут», вул. Чкалова, 17, 61070 Харків, Україна |
Е-mail | klochko_np@mail.ru |
Випуск | Том 7, Рік 2015, Номер 1 |
Дати | Одержано 02.09.2014, опубліковано online - 25.03.2015 |
Цитування | Н.П. Клочко, О.В. Момотенко, В.М. Любов, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 1, 01014 (2015) |
DOI | |
PACS Number(s) | 68.55.Ag ,81.15.Pq |
Ключові слова | Сульфід олова SnS, Електрохімічне осадження (2) , Сульфурізація, Прекурсор, Напів-провідник (2) . |
Анотація | Робота присвячена розробці економічно вигідної і придатної для широкомасштабного виробництва методики отримання тонких плівок сульфіду олова SnS фотовольтаїчного призначення. Шляхом сульфурізаціі в парах сірки плівок олова, електроосаджених зі стандартного розчину лудіння, були синтезовані тонкі плівки SnS з орторомбічної структурою герценбергіта. Синтезований полікристалічний матеріал SnS є електронним напівпровідником з оптимальними для використання в сонячних елементах шириною забороненої зони і коефіцієнтом оптичного поглинання. |
Перелік посилань |