| Назва |
Моделювання механічно з’єднаного три-перехідного сонячного елементу GaInP / GaAs / Si |
| Автори |
О.Б. Гниленко, С.В. Плаксін |
| Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 4 |
| Сторінки |
04057-1 - 04057-6 |
| Назва |
An Analytical Universal Model for Symmetric Double Gate Junctionless Transistors |
| Автори |
N. Bora, P. Das, R. Subadar |
| Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 2 |
| Сторінки |
02003-1 - 02003-4 |
| Назва |
Моделювання впливу типу захисного кільця на електричні характеристики планарних кремнієвих детекторів типу n-on-p |
| Автори |
M. Mekheldi,, S. Oussalah, A. Lounis, N. Brihi |
| Випуск |
Том 11, Рік 2019, Номер 4 |
| Сторінки |
04008-1 - 04008-6 |
| Назва |
Вплив high-k діелектричних матеріалів на короткоканальні ефекти в тризатворних SOI FinFETs |
| Автори |
Zohmingmawia Renthlei, Swagat Nanda, Rudra Sankar Dhar |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 5 |
| Сторінки |
05013-1 - 05013-6 |
| Назва |
Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET |
| Автори |
Payal Kumari, Swagat Nanda, Priyanka Saha, Rudra Sankar Dhar |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Сторінки |
02004-1 - 02004-4 |
| Назва |
Аналіз продуктивності включення прихованого металевого шару в безперехідний багатоканальний польовий транзистор |
| Автори |
S. Ashok Kumar, A. Roshan Solomon, T. Thirumurugan, S. Dhanraj |
| Випуск |
Том 15, Рік 2023, Номер 2 |
| Сторінки |
02007-1 - 02007-4 |
| Назва |
Аналіз ефективності легування на основі зарядової плазми нанодротяного польового транзистора |
| Автори |
P. Raja,P. Naveen Chander, B. Mohamed Faisal, V. Prakash |
| Випуск |
Том 15, Рік 2023, Номер 3 |
| Сторінки |
03031-1 - 03031-3 |
| Назва |
Включення багатомостових каналів у затвор навколо нанодротового польового транзистора |
| Автори |
S. Ashok Kumar, J. Soundararajan, P. Mahendra Peruman, J. Susmitha, K. Krishnaprasath |
| Випуск |
Том 15, Рік 2023, Номер 5 |
| Сторінки |
05019-1 - 05019-4 |
