Назва |
Simulation of CIGS Thin Film Solar Cells Using AMPS-1D |
Автори |
J.R. Ray, C.J. Panchal, M.S. Desai, U.B. Trivedi |
Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 |
Сторінки |
0747 - 0754 |
Назва |
Simulation Study on the Open-Circuit Voltage of Amorphous Silicon p-i-n Solar Cells Using AMPS-1D |
Автори |
B.M. Omer, F.A. Mohammed, A. Seed Ahmed Mahgoub |
Випуск |
Том 6, Рік 2014, Номер 1 |
Сторінки |
01006-1 - 01006-4 |
Назва |
Simulation of Tunnel Junction in Cascade Solar Cell (GaAs/Ge) Using AMPS-1D |
Автори |
Benmoussa Dennai, H. Ben Slimane, A. Helmaoui |
Випуск |
Том 6, Рік 2014, Номер 4 |
Сторінки |
04001-1 - 04001-3 |
Назва |
Optimization of Band Gap and Thickness for the Development of Efficient n-i-p+ Solar Cell |
Автори |
A. Belfar, B. Amiri, H. Aït-kaci |
Випуск |
Том 7, Рік 2015, Номер 2 |
Сторінки |
02007-1 - 02007-7 |
Назва |
Optimizing the Emitter Layer for Higher Efficiency Solar Cell Based SiGe Using AMPS1D |
Автори |
Boukais Meriem, B. Dennai, A. Ould-Abbas |
Випуск |
Том 7, Рік 2015, Номер 3 |
Сторінки |
03015-1 - 03015-4 |
Назва |
Simulation of Hetero-junction (GaInP/GaAs) Solar Cell Using AMPS-1D |
Автори |
Dennai Benmoussa, M. Boukais, H. Benslimane |
Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 1 |
Сторінки |
01009-1 - 01009-3 |
Назва |
An Investigation of High Performance Heterojunction Silicon Solar Cell Based on n-type Si Substrate |
Автори |
N. Memarian, M. Minbashi, M. Jalali Mehrabad |
Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 4 |
Сторінки |
04058-1 - 04058-8 |
Назва |
Effect of Intrinsic Layer Thickness on PIN Structure for Tandem Solar Cell Based on Indium Gallium Nitride Using AMPS -1D |
Автори |
Omar Souilah, A. Benzair, B. Dennai, H. Khachab |
Випуск |
Том 10, Рік 2018, Номер 4 |
Сторінки |
04013-1 - 04013-4 |
Назва |
Investigation of Absorber Layer Thickness Effect on CIGS Solar Cell in Different Cases of Buffer Layers |
Автори |
Benslimane Hassane, Dennai Benmoussa |
Випуск |
Том 10, Рік 2018, Номер 5 |
Сторінки |
05044-1 - 05044-2 |
Назва |
Вплив кристалічної об'ємної фракції на електронні властивості гідрогенізованого мікрокристалічного кремнію, дослідженого методом еліпсометрії та моделюванням мікроелектронних і фотонних структур |
Автори |
H. Benhabara,, J.D. Sib,, A. Bouhekka,, M. Chahi,, D. Benlakhel, A. Kebbab, Y. Bouizem, L. Chahed |
Випуск |
Том 11, Рік 2019, Номер 1 |
Сторінки |
01014-1 - 01014-5 |