Analysis of the Band-Structure in (Ga, Mn)As Epitaxial Layers by Optical Methods
| Автори | O. Yastrubchak |
| Приналежність | Institute of Physics, Maria Curie-Skłodowska University, Place Marii Curie-Skłodowskiej 1, 20-031 Lublin, Poland |
| Е-mail | yastrub@hektor.umcs.lublin.pl |
| Випуск | Том 4, Рік 2012, Номер 1 |
| Дати | Received 31 October 2011; revised manuscript received 28 February 2012; published online 14 March 2012 |
| Посилання | O. Yastrubchak, J. Nano-Electron. Phys. 4 No 1, 01016 (2012) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 1.20.Mq, 83.85.Ei |
| Ключові слова | Spintronics (2) , Diluted ferromagnetic semiconductor, Photoreflectance (PR) spectroscopy, Fermi level (2) , (Ga (3) , Mn)As. |
| Анотація | The ternary III-V semiconductor (Ga, Mn)As has recently drawn a lot of attention as the model diluted ferromagnetic semiconductor, combining semiconducting properties with magnetism. (Ga, Mn)As layers are usually gown by the low-temperature molecular-beam epitaxy (LT-MBE) technique. Below a magnetic transition temperature, TC, substitutional Mn2+ ions are ferromagnetically ordered owing to interaction with spin-polarized holes. However, the character of electronic states near the Fermi energy and the electronic structure in ferromagnetic (Ga, Mn)As are still a matter of controversy. The photoreflectance (PR) spectroscopy was applied to study the band-structure evolution in (Ga, Mn)As layers with increasing Mn content. We have investigated thick (800-700 nm and 230-300 nm) (Ga, Mn)As layers with Mn content in the wide range from 0.001 % to 6 % and, as a reference, undoped GaAs layer, grown by LT-MBE on semi-insulating (001) GaAs substrates. Our findings were interpreted in terms of the model, which assumes that the mobile holes residing in the valence band of ferromagnetic (Ga, Mn)As and the Fermi level position determined by the concentration of valence-band holes. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Magnetic Properties of Fe/Cu Multilayers Prepared Using Pulsed-Current Electrodeposition [01001-1-01001-3]2) [01001-1-01001-6]
3) [01001-1-01001-5]
4) [01001-1-01001-6]
5) Inductive-Type properties of (Co45Fe45Zr10)x(Al2O3)100-x Nanocomposites Produced by the Ion-Beam Sputtering in the Argon and Oxygen Ambient [01002-1-01002-4]
6) Prospects for the Application of Nanotechnologies to the Computer System Architecture [01003-1-01003-6]
7) Exact Ground States for Quasi 1D Systems with Hubbard Interaction [01004-1-01004-6]
8) Comparison of the Structural Configuration of Cobalt Nanoparticles on Titania and Titania Nanotube Supports [01005-1-01005-4]
9) Formation Processes of Nanocomposite Strengthening Particles in Rapidly Quenched Al-Sc-Zr Alloys [01006-1-01006-5]
10) The Role of Nano-sized Fraction on Spark Plasma Sintering the Pre-Alloyed Spark-Erosion Powders [01007-1-01007-7]
11) Corrosion Resistance of AZ91 Magnesium Alloy with Pulse Electrodeposited Ni-SiC Nanocomposite Coating [01008-1-01008-4]
12) Numerical Study of Negative-Refractive Index Ferrite Waveguide [01009-1-01009-4]
13) Investigation on the Effects of Titanium Diboride Particle Size on Radiation Shielding Properties of Titanium Diboride Reinforced Boron Carbide-Silicon Carbide Composites [01010-1-01010-4]
14) Nanostructured Al Doped SnO2 Films Grown onto ITO Substrate via Spray Pyrolysis Route [01011-1-01011-3]
15) The Annealing Effects of ZnO Thin Films on Characteristic Parameters of Au/ZnO Schottky Contacts on n-Si [01012-1-01012-3]
16) Formation of Nanostructured Thin Film Coatings for Nanocatalysts [01013-1-01013-4]
17) Thermal Reversible Breakdown and Resistivity Switching in Hafnium Dioxide [01014-1-01014-3]
18) Synthesis, Characterization and Performance Study of Phosphosilicate Gel-Sulfonated Poly (Ether Ether Ketone) Nanocomposite Membrane for Fuel Cell Application [01015-1-01015-4]
19) Critical Exponents in Percolation Model of Track Region [01017-1-01017-3]
20) Effect of Tertiary Amines on Structural, Morphological and Optical Properties of Nanostructured ZnO Thin Film [01018-1-01018-4]
21) Наноструктурні тонкі плівки NaBiTe2 та їх властивості [01019-1-01019-5]
22) Використання іонно-плазмової обробки для підвищення конструктивної міцності виробів [01020-1-01020-4]
23) Structure of TiAlN Reactive Sputtered Coatings [01021-1-01021-4]
24) Пружні властивості одношарових вуглецевих нанотрубок [01022-1-01022-5]
25) Temperature Dependence of a Period of the Modulated Structurein Atom-Vacancy Solid Solution Based on F.C.C. Nickel [01023-1-01023-4]
26) Properties of the Window Layers for the CZTSe and CZTS Based Solar Cells [01024-1-01024-3]
27) Influence of the Inverse Faraday Effect on Switching and Oscillations of Magnetization in Single-Domain Nanoparticles [01025-1-01025-3]
28) Ефект впливу довжини каналу на порогові характеристики безперехіднихциліндричних польових транзисторів із затвором з діелектриків з високою проникністю [02011-1-02011-5]
29) Енергетичний спектр сигналів акустичної емісії в сполучених суцільних середовищах [03028-1-03028-1]
30) Чисельне моделювання росту тонких плівок шляхом випадкового осадження з випаровуванням частинок [06016-1-06016-6]
31) Чисельне моделювання росту тонких плівок шляхом випадкового осадження з випаровуванням частинок [06016-1-06016-6]
32) Чисельне моделювання росту тонких плівок шляхом випадкового осадження з випаровуванням частинок [06016-1-06016-6]
33) Створення фільтру за допомогою гравірування S-резонаторів до хвилеводу, інтегрованого у підкладку [06019-1-06019-1]
34) Створення фільтру за допомогою гравірування S-резонаторів до хвилеводу, інтегрованого у підкладку [06019-1-06019-1]
