Управління параметрами GaAs:Si-p-n-структур при гіратронному опромінюванні

Автори Г.О. Сукач1, В.В. Кідалов2
Приналежність

1 Національний університет біоресурсів і природокористування України, вул. Героїв Oборони, 15, 03041, Київ, Україна

2 Бердянський державний педагогічний університет, вул. Шмідта, 4, 71100, Бердянськ, Україна

Е-mail V.V.Kidalov@mail.ru
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 4
Дати Одержано 21.04.2011, у відредагованій формі – 25.09.2011, опубліковано онлайн – 30.12.2011
Посилання Г.О. Сукач, В.В. Кідалов, Ж. нано- електрон. фіз. 3 №4, 138 (2011)
DOI
PACS Number(s) 73.20.Hb, 72.80.Ey
Ключові слова Гіратронне опромінювання, Світловипромінюючі структури, Домішки (18) , Управління станом p-n-переходу, Термо-пружні напруги.
Анотація
Показано, що за допомогою гіратронного опромінення можливо управлінням становищем р-п переходу у вже виготовленій світловипромінюючій структурі. Зрушення компенсованої області випромінюючої структури на основі GaAs:Si, обумовлене рухом домішок у полі термопружних напруг, що з'являються в процесі охолодження зразків після гіратронного опромінення.

Перелік посилань