Автори | Г.О. Сукач1, В.В. Кідалов2 |
Афіліація | 1 Національний університет біоресурсів і природокористування України, вул. Героїв Oборони, 15, 03041, Київ, Україна 2 Бердянський державний педагогічний університет, вул. Шмідта, 4, 71100, Бердянськ, Україна |
Е-mail | V.V.Kidalov@mail.ru |
Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 4 |
Дати | Одержано 21.04.2011, у відредагованій формі – 25.09.2011, опубліковано онлайн – 30.12.2011 |
Цитування | Г.О. Сукач, В.В. Кідалов, Ж. нано- електрон. фіз. 3 №4, 138 (2011) |
DOI | |
PACS Number(s) | 73.20.Hb, 72.80.Ey |
Ключові слова | Гіратронне опромінювання, Світловипромінюючі структури, Домішки (18) , Управління станом p-n-переходу, Термо-пружні напруги. |
Анотація |
Показано, що за допомогою гіратронного опромінення можливо управлінням становищем р-п переходу у вже виготовленій світловипромінюючій структурі. Зрушення компенсованої області випромінюючої структури на основі GaAs:Si, обумовлене рухом домішок у полі термопружних напруг, що з'являються в процесі охолодження зразків після гіратронного опромінення. |
Перелік посилань |