Modeling of Threshold Voltage and Drain Current of Uniaxial Strained p-MOSFETs
| Автори | Amit Chaudhry1, Sonu Sangwan2, Jatindra Nath Roy3 |
| Приналежність | 1 UIET, Panjab University, Sector – 25, 91160014, Chandigarh, India 2 UIET, Panjab University, Sector – 25, 91160014, Chandigarh, India 3 Solar Semiconductor Private Limited, Hyderabad, India |
| Е-mail | amit_chaudhry01@yahoo.com |
| Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 4 |
| Дати | Received 11 August 2011, published online 30 December 2011 |
| Посилання | Amit Chaudhry, Sonu Sangwan, Jatindra Nath Roy, J. Nano- Electron. Phys. 3 No4, 27 (2011) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 85.30.De, 85.30.Tv |
| Ключові слова | Mobility (10) , Strained–Si, Model (52) , Numerical (7) . |
| Анотація |
An analytical model describing the threshold voltage and drain current in strained-Si p-MOSFETs as a function of applied uniaxial strain applied at the gate has been developed in this paper. The uniaxial stress has been applied through the silicon nitride cap layer. The results show that the threshold voltage falls and drain current rises due to applied uniaxial strain. The results have also been compared with the experimentally reported results and show good agreement. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Static and Vibrational Properties of Lithium Alloys [005-012]2) Structural and Optical Properties of Electro Sprayed Tin Oxide Thin Films [013-019]
3) Generalized Hurst Exponent of The Carbon Thin Film Surface [020-026]
4) Ellipsometric Studies on Silver Telluride Thin Films [032-042]
5) Magnetic and Low Temperature Conductivity Studies in Oxidized Nano Ni Films [043-054]
6) Усунення агрегування феромагнітних частинок при електронно-мікроскопічних дослідженнях [055-059]
7) Робастність методів правдоподібності для обчислення координат сцинтиляцій [060-065]
8) Дифракція хвиль на дофрактальній системі щілин в плоскому екрані [066-072]
9) Комплекс дистанційного пошуку, локалізації і ідентифікації джерел гамма випромінювання [073-080]
10) Модель утворення нанорозмірного віскера з каналу потрійного стику меж зерен полікристала [081-087]
11) Kінетика утворення згустків Ag на мікрокристалах AgBr при нормальному лазерному ефекті Гершеля [088-096]
12) Структура і фізико-механічні властивості нк-TiN покриттів отриманих вакуумно-дуговим осадженням та осадження з ВЧ розрядом [097-105]
13) Магніторезистивні властивості спін-вентильних структур на основі Сo та Сu або Аu [106-113]
14) Моделювання процесу утворення твердих розчинiв у системi In2O3-HfO2 при нагрiвi у середовищi повiтря [114-124]
15) Особливості станів фторида кобальта [125-130]
16) Ефект Холла в мультишарах на основі Pd i Fe [131-137]
17) Управління параметрами GaAs:Si-p-n-структур при гіратронному опромінюванні [138-149]
