Вплив d-f обмінної взаємодії на оптичні властивості наноструктури Fe/Gd2O3 у інфрачервоному діапазоні спектра
| Автори | А.М. Касумов1, В.О. Юхимчук2 , К.А. Коротков1, О.А. Федоренко3, О.І. Дмитрієв1, В.М. Караваєва1, Ю.О. Шкурдода4. A.І. Євтушенко1 |
| Афіліація |
1Інститут проблем матеріалознавства НАНУ ім. І.М. Францевича, Київ-142, Україна 2Інститут фізики напівпровідників НАНУ ім. В.О. Лашкарьова, Київ-28, Україна 3Інститут біоорганічної хімії та нафтохімії НАНУ ім. В.М. Кухаря, Київ-94, Україна 4Сумський державний університет 116, Харківська вул., Суми-40007, Україна |
| Е-mail | k.korotkov@ipms.kyiv.ua |
| Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 6 |
| Дати | Одержано 07 вересня 2024; у відредагованій формі 10 грудня 2024; опубліковано online 23 грудня 2024 |
| Цитування | А.М. Касумов, В.О. Юхимчук, К.А. Коротков, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 6, 06026 (2024) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(6).06026 |
| PACS Number(s) | 73.20. – r |
| Ключові слова | Fe (280) , РЗМ-оксид, ІЧ-спектроскопія, d-f обмінна взаємодія. |
| Анотація |
У роботі розглянуто вплив d-f обмінної взаємодії, що відбувається в приконтактній зоні шарів в оксидних наноструктурах Fe/REM, на особливості їхніх ІЧ-спектрів поглинання. Проведено порівняння частот, енерґій і силових констант коливань атомних зв'язків Gd-O і Yb-O в наноструктурах Fe/Gd2O3 і Fe / Yb2O3 зі значними і малими значеннями ефективного магнітного моменту РЗМ відповідно. Показано, що різниця між спектрами поглинання цих наноструктур і розрахованими за ними властивостями свідчить про наявність впливу d-f обмінної взаємодії на коливання зв'язку Gd-O і його відсутність для Yb-O. Для зв'язку Gd-O збільшення енергії коливань за рахунок d-f обмінної взаємодії становить 0,02 - 0,11%. Показано, як вплив обмінної взаємодії можна врахувати у відомому квантово-механічному описі ангармонічності коливань осцилятора, ввівши додатковий член у вираз для його потенціальної енергії. Такий підхід дає змогу показати, що обмінна взаємодія d-f також впливає на величину відстані між ядрами атомів Gd-O. |
|
Перелік цитувань |
Інші статті цього номера
1) Прогнозування нормальної різниці напруги та модуля релаксації нанокомпозитів полімолочна кислота/фосфат кальцію [06001-1-06001-5]2) Розрахунок намагніченності багатокомпонентних металевих сплавів: парамагнітне наближення [06002-1-06002-4]
3) Нові тенденції в наноструктурованих покриттях: розгадка методів обробки, механізми корозії та трибологічні характеристики [06003-1-06003-5]
4) Проектування та моделювання багатодіапазонної планарної інвертованої F-антени для додатків IoT малого радіусу дії [06004-1-06004-4]
5) Розробка енергоефективної системи моніторингу пацієнтів із використанням бездротової сенсорної мережі на основі RSSI з технологією AODV і ZigBee [06005-1-06005-5]
6) Вивчення ультрачутливих нанобіосенсорів для ідентифікації небезпечних для життя хвороб за допомогою біологічних об’єктів [06006-1-06006-5]
7) Чисельне дослідження застосування нанофлюїдів у системах сонячної енергії на основі теплових характеристик [06007-1-06007-6]
8) Нова структура для покращеного виявлення наночастинок у скануючій електронній мікроскопії з використанням синтетичних даних [06008-1-06008-6]
9) Вплив штучностворених наночастинок на організм немовлят [06009-1-06009-5]
10) Вплив модифікації поверхні, температури та масової частки на теплові властивості нанофлюїду нанографіту/води [06010-1-06010-5]
11) Залежність динамічних механічних та акустичних властивостей системи «Перетворювач – електропружний екран» від частоти електричного збудження екрана [06011-1-06011-8]
12) Органічний світловипромінюючий діод з випромінюванням червоного кольору без спаду квантової ефективності із застосуванням технології «квантових ям» [06012-1-06012-6]
13) Застосування двостороннє чутливих сонячних елементів на основі телуриду кадмію для визначення довжини хвилі імпульсних лазерних діодів [06013-1-06013-6]
14) Хімічний синтез плівок твердого розчину ZnSxSe1 – x з водних розчинів, що містять гідроксид натрію [06014-1-06014-5]
15) MIMO антена для частоти 6 ГГц зі структурою EBG у додатках 5G [06015-1-06015-5]
16) Електрохімічний синтез цинк оксиду в присутності поверхнево-активної речовини FK 06213 [06016-1-06016-5]
17) Оцінка продуктивності конструкції компактної мікросмужкової антени для бездротових додатків 5G [06017-1-06017-5]
18) Моделювання та аналіз надійності радіочастотного MEMS-перемикача з низькою напругою спрацьовування [06018-1-06018-5]
19) Дослідження гідрофільності/гідрофобності гідрогенізованої тонкої алмазоподібної вуглецевої плівки [06019-1-06019-5]
20) Критичний аналіз використання нанофлюїдів у оболонкових і трубчастих системах теплопередачі [06020-1-06020-4]
21) Покращення гідрологічної моделі щоденних прогнозів стоку в водотоках з дефіцитом даних шляхом інтеграції CNN-LSTM з фізичними процесами [06021-1-06021-6]
22) CMOS-підсилювач потужності 1 ГГц 180 нм для систем зчитування UHF RFID [06022-1-06022-5]
23) Електричні та електродинамічні властивості полімерних композитів з нановуглецевим наповнювачем [06023-1-06023-6]
24) Реакційне гаряче пресування надвисокотемпературної кераміки HfB2-SiC-C з підвищеною стійкістю до термоудару [06024-1-06024-6]
25) Оцінка можливості перетворень будови розплавів системи Al – Si за термодинамічними даними [06025-1-06025-5]
26) Система безперебійного живлення мережевого обладнання [06027-1-06027-5]
27) Раман-дослідження в хімічно-синтезованих нанокристалічних тонких плівках CuS [06028-1-06028-5]
28) Фотонно-кристалічні волокна з трикутною та каґоме структурами для волоконно-оптичних гіроскопів [06029-1-06029-6]
29) Вплив кількості циклів загартування на підвищення довговічності ріжучого інструменту зі швидкорізальної сталі [06030-1-06030-4]
30) Магніторезистивні властивості розривних тонкоплівкових систем на основі Ni80Fe20 та SiOx (x ≅ 1) [06031-1-06031-5]
31) Фактор Парселла молекули-диполя, розташованої поблизу сферичної металевої наночастинки [06032-1-06032-6]
32) Дослідження термодинамічного процесу в гібридному потоці нанофлюїдів через пористі матеріали за допомогою багатоцільової опорної векторної машини [06033-1-06033-6]
33) Самонагрівання у планарному GaN діоді з 2D-h-BN- шаром [06034-1-06034-5]
