Вплив сполуки GaSb на ширину забороненої зони кремнію

Автори Kh.M. Iliev, N.F. Zikrillaev , K.S. Ayupov, B.O. Isakov , B.A. Abdurakhmanov , Z.N. Umarkhodjaeva, L.I. Isamiddinova
Приналежність

Tashkent State Technical University, 100095 Tashkent, Uzbekistan

Е-mail bobir6422isakov@gmail.com
Випуск Том 16, Рік 2024, Номер 2
Дати Одержано 06 грудня 2023; у відредагованій формі 14 квітня 2024; опубліковано online 29 квітня 2024
Посилання Kh.M. Iliev, N.F. Zikrillaev, K.S. Ayupov, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 2, 02004 (2024)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.16(2).02004
PACS Number(s) 61.72.uf, 68.43.Jk
Ключові слова Кремній (85) , Галій (2) , Антимонід (3) , Дифузія (32) , Ширина забороненої зони (19) .
Анотація

Досліджена ширина забороненої зони зразків Si, легованих домішковими атомами елементів Ga (AIII) і Sb (BV) дифузійним методом і без домішкових атомів. Відомо, що ширина забороненої зони напівпровідників GaSb і Si при кімнатній температурі становить 0,726 і 1,12 еВ відповідно. Установлено, що щирина забороненої зони зразків Ga та Sb легованого та нелегованого Si становить 1,114 та 1,119 еВ відповідно. Під час подальшого відпалу матеріалів при температурі 600 °C було виявлено, що ширина забороненої зони легованих Ga та Sb зразків зменшується до 1,10 еВ.

Перелік посилань