Автори | Ali Sadoun |
Афіліація |
Applied Materials Laboratory, Research Center (CFTE), Sidi Bel Abbès Djillali Liabes University, 22000, Algeria |
Е-mail | ali.sadoun@dl.univ-sba.dz |
Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 2 |
Дати | Одержано 15 грудня 2023; у відредагованій формі 17 квітня 2024; опубліковано online 29 квітня 2024 |
Цитування | Ali Sadoun, Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 2, 02001 (2024) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(2).02001 |
PACS Number(s) | 00.11.Al, 00.11.Sa |
Ключові слова | InP (9) , InN (6) , InSb (2) , Діоди Шотткі (4) , Вольт-амперна характеристика (12) , Вольт-ємнісна характеристика, Iнтерфейс, Щільність станів (3) . |
Анотація |
У дослідженні було перевірено, як природні шари InN та InSb впливають на вольт-амперні та вольт-ємнісні характеристики діода Шотткі Au/n-InP при температурі 300 К з і без станів розділу, пасток і тунельного струму. Моделювання проводилося за допомогою симулятора пристрою Atlas-Silvaco-Tcad. На основі вольт-амперних характеристик було установлено, що ефективна висота бар’єрів становить 0,474; 0,544 і 0,561 еВ, на основі вольт-ємнісних характеристик – 0,675; 0,817 і 0,800 еВ. Крім того використання високо-низькочастотного методу для розрахунку середньої щільності міжфазних станів, яка була визначена приблизно як 6.03 x 1011 and 3.33 x 1012 см – 2 x eВ – 1. Результати показують, що тонка плівка InN та InSb може ефективно пасивувати поверхню InP, про що свідчить висока продуктивність зразка. |
Перелік цитувань |