Моделювання за допомогою методу еквівалентних схем перехідних процесів при збудженні поверхневої фото-ЕРС в тонких плівках ZnO
| Автори | А. Надточій1 , А. Подолян1 , О. Коротченков1 , О. Оберемок2, О. Косуля2, Б. Романюк2 |
| Приналежність |
1Фізичний факультет, Київський національний університет імені Тараса Шевченка, 01601 Київ, Україна 2Інститут Фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, 03028 Київ, Україна |
| Е-mail | nadtku@univ.kiev.ua |
| Випуск | Том 16, Рік 2024, Номер 2 |
| Дати | Одержано 22 січня 2024; у відредагованій формі 18 квітня 2024; опубліковано online 29 квітня 2024 |
| Посилання | А. Надточій, А. Подолян, О. Коротченков, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 16 № 2, 02023 (2024) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.16(2).02023 |
| PACS Number(s) | 72.20.Jv, 73.50.Pz |
| Ключові слова | Поверхнева фото-ЕРС, Оксид цинку (18) , Еквівалентні схеми. |
| Анотація |
Плівки ZnO були отримані нанесенням оксиду цинку на підкладку кремнію p-типу за допомогою магнетронного розпилення, після чого у плівку були імплантовані іони Nd+ з подальшим відпалом. Динаміка фотозбуджених носіїв досліджувалась за допомогою вимірювання поверхневої фото-ЕРС Перехідний процес кінетики фото-ЕРС після вимкнення джерела світла часто має вигляд немонотонного та/або знакозмінного загасання. Моделювання таких складних перехідних процесів проводилося за допомогою методу еквівалентних схем. Були розроблені еквівалентні схеми, що містять у собі декілька елементів опору (R), ємності (C) та індуктивності (L). За допомогою аналізу імпедансу в часовій області була також розроблена проста процедура підгонки, яка дозволяє точно відтворювати виміряний перехідний процес фото-ЕРС. Показано можливий взаємозв'язок між цими елементами RCL і фізичною картиною явищ переносу заряду в областях розділу структури. Такий підхід може бути корисним для використання при моделюванні характеристик інтерфейсів у напівпровідникових структурах і пристроях. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив введених шарів природного оксиду, InN та InSb на електричні характеристики Au/n-InP [02001-1-02001-6]2) Підвищення продуктивності ведичного множника за допомогою FinFET [02002-1-02002-5]
3) Аналіз поведінки прогинання функціонально градуйованих пластин під механічним навантаженням [02003-1-02003-4]
4) Вплив сполуки GaSb на ширину забороненої зони кремнію [02004-1-02004-4]
5) DFT-моделювання хімічних реакцій, які протікають під дією позитивних іонних комплексів водних розчинів HF при електрохімічному травленні кремнію [02005-1-02005-5]
6) Семидіапазонна регульована патч-антена для додатків когнітивного радіо [02006-1-02006-6]
7) Гетероструктури Fe2O3/p-InSe, виготовлені методом спрей-піролізу [02007-1-02007-4]
8) Пропускання та поглинання двостороннього пористого кремнію з макропорами або нанодротами [02008-1-02008-7]
9) Двохдіапазонна MIMO кругла патч-мікросмугова антена (CPMA) з низьким взаємним зчепленням для системи зв’язку 5G [02009-1-02009-5]
10) Новий транзистор GAA FinFET без n- і p-каналів [02010-1-02010-5]
11) Підвищення чутливої ефективності датчика етанолу на основі ZnO: плівка Fe-ZnO [02011-1-02011-7]
12) Створення перспективної фотовольтаїки CZTGS шляхом оптимізації деяких параметрів пристрою [02012-1-02012-4]
13) Формування пересичених азотом нітридів в умовах термобаричного спікання BL композитів систем cBN-{TiN, ZrN, HfN, VN, NbN}–Al [02013-1-02013-7]
14) Електродинамічні властивості резонаторних зондів для локальної НВЧ діагностики наноелектронних об'єктів [02014-1-02014-6]
15) Розробка високоефективної монопольної антенної решітки для георадара [02015-1-02015-5]
16) Розширення смуги пропускання та посилення компактної патч-антени з використанням метаматеріалів для додатків UWB [02016-1-02016-6]
17) Підсилення поля за допомогою хвилеводного резонансу структурою діелектрична ґратка/діелектричний шар/металева підкладка. [02017-1-02017-5]
18) Покращення продуктивності тандемної тонкоплівкової сонячної батареї CZTS/CZTSSe [02018-1-02018-6]
19) Детектування іонізуючого випромінювання за допомогою польового транзистора на основі відновленого оксиду графену [02019-1-02019-4]
20) Вплив домішки MnO на діелектричну проникність та діелектричні втрати скла Na2O-B2O3 [02020-1-02020-4]
21) Моделювання рентгенівського фазоконтрастного зображення оптично неоднорідних об'єктів [02021-1-02021-6]
22) Оптимізація виявлення терагерцового сигналу в транзисторах з високою рухливістю електронів: висновки з досліджень плазмового резонансу [02022-1-02022-6]
23) Дифузія іонів літію в пористі вуглецеві електродні матеріали згідно методу гальваностатичного переривчастого титрування [02024-1-02024-4]
24) Поліпшення шляхом термічної обробки механічних властивостей матеріала фрези [02025-1-02025-5]
25) Структура і властивості зносостійких наноструктурованих покриттів на основі W, Cr та N [02026-1-02026-6]
26) Синтез поверхневих наноструктур сульфіду срібла в аргоні атмосферного тиску в газовому розряді [02027-1-02027-6]
27) Моделювання та симуляція фотоелектричної панелі за допомогою Simulink та Proteus Simulation [02028-1-02028-8]
28) Аналіз компактної чотирикутної стрілкової щілинної антени з виїмкою з дефектною структурою землі [02029-1-02029-5]
29) Властивості вихідних, опромінених електронами світлодіодних гомоперехідних GaP, GaAsP та гетероперехідних InGaN структур [02030-1-02030-6]
30) Розробка смугового фільтра на основі розділених кільцевих резонаторів із характеристиками потрійної смуги пропускання для систем бездротового зв’язку [02031-1-02031-5]
