Автори | В.М. Катеринчук1, З.Д. Ковалюк1 , Б.В. Кушнір1, О.С. Литвин2 |
Афіліація | 1 Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення, вул. І. Вільде, 5, 58001 Чернівці, Україна 2 Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, пр. Науки, 41, 03028 Київ, Україна |
Е-mail | KushnirBV@gmail.com |
Випуск | Том 8, Рік 2016, Номер 3 |
Дати | Одержано 15.03.2016, опубліковано online - 03.10.2016 |
Цитування | В.М. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, Б.В. Кушнір, О.С. Литвин, Ж. нано- електрон. фіз. 8 № 3, 03032 (2016) |
DOI | 10.21272/jnep.8(3).03032 |
PACS Number(s) | 61.43.Dq, 75.50.Pp, 75.60Ej |
Ключові слова | Cеленід індію (2) , Шаруваті кристали (11) , Гетеропереходи (5) , Спектральні характеристики (4) , Вольт-амперні характеристики (14) . |
Анотація | Методом термічного окислення напівпровідникової підкладки створений новий гетероперехід власний оксид p-In4Se3. На основі аналізу електричних і фотоелектричних характеристик гетеропереходу побудована його якісна зонна діаграма. Особливістю даного гетеропереходу є механізм протікання струму через бар’єр, який визначається не дифузією носіїв, а термоелектронною емісією. Представлені також АСМ-зображення поверхні оксидного шару та спектр фоточутливості досліджуваного гетеропереходу. |
Перелік цитувань English version of article |