| Назва |
Вплив концентрації носіїв заряду фосфіда індію на формування поруватого шару |
| Автори |
Я.О. Cичікова, В.В. Кідалов, Г.О. Сукач |
| Випуск |
Том 2, Рік 2010, Номер 4 |
| Сторінки |
075 - 081 |
| Назва |
Electrical Transport Characteristics of Pd/V/N-InP Schottky Diode From I-V-T and C-V-T Measurements |
| Автори |
S. Sankar Naik, V. Rajagopal Reddy |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
| Сторінки |
1048 - 1055 |
| Назва |
Моделювання механічно з’єднаного три-перехідного сонячного елементу GaInP / GaAs / Si |
| Автори |
О.Б. Гниленко, С.В. Плаксін |
| Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 4 |
| Сторінки |
04057-1 - 04057-6 |
| Назва |
Modeling of Etching Nano-surfaces of Indium Phosphide |
| Автори |
S.L. Khrypko, V.V. Kidalov, E.V. Kolominska |
| Випуск |
Том 7, Рік 2015, Номер 1 |
| Сторінки |
01003-1 - 01003-3 |
| Назва |
Simulation of Hetero-junction (GaInP/GaAs) Solar Cell Using AMPS-1D |
| Автори |
Dennai Benmoussa, M. Boukais, H. Benslimane |
| Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 1 |
| Сторінки |
01009-1 - 01009-3 |
| Назва |
Покращений діод Ганна мікронних розмірів на основі варізонного GaPAs – GaInAs |
| Автори |
Ігор Стороженко, Сергій Санін |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 1 |
| Сторінки |
01027-1 - 01027-5 |
