Автори | Я.О. Сичікова1 , В.В. Кідалов1 , Г.О. Сукач2 |
Приналежність | 1 Бердянський державний педагогічний університет, ул. Шмідта, 4, 71100, Бердянськ, Україна 2 Інститут фізики напівпровідників ним. У. Е. Лашкарьова НАН України, Проспект Науки 41, 03028, Київ, Україна |
Е-mail | V.V.Kidalov@mail.ru |
Випуск | Том 1, Рік 2009, Номер 4 |
Дати | Одержано 05.11.2009, у відредагованій формі – 01.12.2009 |
Посилання | Я.О. Сичікова, В.В. Кідалов, Г.О. Сукач, Ж. нано- електрон. фіз. 1 №4, 78 (2009) |
DOI | |
PACS Number(s) | 61.43.Gt, 78.30.Fs, 78.55.m |
Ключові слова | Поруватий InP (2) , Електролітичне травлення, Скануюча електрона мікроскопія (3) , Наноструктури (22) , Порогова напруга (4) . |
Анотація |
У даній роботі подано аналіз залежності морфології поруватого фосфіду індію від типу аніону що бере участь у реакції пороутворення. Показано, що за певних умов електролітичного травлення, можливе отримання нанопоруватих шарів InP. |
Перелік посилань |