Back

Results (13):

Назва Effects of Interfacial Charges on Doped and Undoped HfOx Stack Layer with Tin Metal Gate Electrode for Nano-Scaled CMOS Generation
Автори S. Chatterjee, Y. Kuo
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 1
Сторінки 0162 - 0169
Назва Pt-Ti/ALD-Al2O3/p-Si MOS Capacitors for Future ULSI Technology
Автори Ashok M. Mahajan, Anil G. Khairnar, Brian J. Thibeault
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4
Сторінки 0647 - 0650
Назва Role of Interface Charges on High-k Based Poly-Si and Metal Gate Nano-Scale MOSFETs
Автори N. Shashank, Vikram Singh, W.R. Taube, R.K. Nahar
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5
Сторінки 0937 - 0941
Назва Analog and RF Performance Evaluation of Dual Metal Double Gate High-k Stack (DMDG-HKS) MOSFETs
Автори Santosh K. Gupta, S. Baishya
Випуск Том 5, Рік 2013, Номер 3
Сторінки 03008-1 - 03008-8
Назва Synthesis of Cerium Dioxide High-k Thin Films as a Gate Dielectric in MOS Capacitor
Автори Anil G. Khairnar, Y.S. Mhaisagar, A.M. Mahajan
Випуск Том 5, Рік 2013, Номер 3
Сторінки 03002-1 - 03002-3
Назва Effects of High-k Dielectrics with Metal Gate for Electrical Characteristics of SOI TRI-GATE FinFET Transistor
Автори Fatima Zohra Rahou, A.Guen Bouazza, B. Bouazza
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 4
Сторінки 04037-1 - 04037-4
Назва Вплив high-K діелектричного матеріалу як буфера на аналогові та радіочастотні характеристики GS-DG-FinFET
Автори A. Pattnaik, Sruti S. Singh, S.K. Mohapatra
Випуск Том 11, Рік 2019, Номер 6
Сторінки 06028-1 - 06028-7
Назва Числове моделювання параметрів FinFET транзисторів
Автори І.П. Бурик, А.О. Головня, М.М. Іващенко, Л.В. Однодворець
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 3
Сторінки 03005-1 - 03005-4
Назва Вплив high-k діелектричних матеріалів на короткоканальні ефекти 14 нм тризатворного транзистора SOI FinFET для зменшеної площі мікросхеми
Автори S. Nanda, R.S. Dhar
Випуск Том 13, Рік 2021, Номер 3
Сторінки 03015-1 - 03015-4
Назва Вплив high-k діелектричних матеріалів на короткоканальні ефекти в тризатворних SOI FinFETs
Автори Zohmingmawia Renthlei, Swagat Nanda, Rudra Sankar Dhar
Випуск Том 13, Рік 2021, Номер 5
Сторінки 05013-1 - 05013-6
Назва Моделювання та імітація польового транзистора MOSFET (з high-k діелектриком) з використанням генетичних алгоритмів
Автори Abdelkrim Mostefai, Smail Berrah, Hamza Abid
Випуск Том 13, Рік 2021, Номер 6
Сторінки 06004-1 - 06004-5
Назва Розширене дослідження позиційно-залежного багатоканального GAA MOSFET та його впливу на характеристики пристрою
Автори Krutideepa Bhol, Umakanta Nanda
Випуск Том 14, Рік 2022, Номер 1
Сторінки 01018-1 - 01018-4
Назва Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET
Автори Payal Kumari, Swagat Nanda, Priyanka Saha, Rudra Sankar Dhar
Випуск Том 14, Рік 2022, Номер 2
Сторінки 02004-1 - 02004-4