Results (9):

Назва Effective Passivation of C-Si by Intrinsic A-Si:h Layer for hit Solar Cells
Автори Shahaji More, R.O. Dusane
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5
Сторінки 1120 - 1126
Назва Synthesis of Reduced Graphene Oxide Using Novel Exfoliation Technique and its Characterizations
Автори Asha R. Pai, Bipin Nair
Випуск Том 5, Рік 2013, Номер 2
Сторінки 02032-1 - 02032-3
Назва A Processing in Memory Realization Using Quantum Dot Cellular Automata (QCA): Proposal and Implementation
Автори P.P. Chougule, B. Sen, R. Mukherjee, P.S. Patil, R.K. Kamat, T.D. Dongale
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 1
Сторінки 01021-1 - 01021-5
Назва Influence of Characteristic Energies and Charge Carriers Mobility on the Performance of a HIT Solar Cell
Автори Wassila Leila Rahal, Djaaffar Rached
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 4
Сторінки 04001-1 - 04001-5
Назва Computer Simulation on the Behavior of the TCO/n-a-Si:H Interface Solar Cells
Автори Djaaffar Rached, Habib Madani Yssaad, Wassila Leila Rahal
Випуск Том 10, Рік 2018, Номер 5
Сторінки 05012-1 - 05012-4
Назва Чутливість сонячних елементів c-Si з HIT до структурних спотворень гідрогенізованого аморфного кремнію, що складає фронтальну частину пристрою
Автори T. Belaroussi, D. Rached, W.L. Rahal, F. Hamdache
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 5
Сторінки 05023-1 - 05023-5
Назва Імітаційне дослідження тилового контакту метал-напівпровідник p-c-Si/Al кремнієвих сонячних елементів з гетеропереходами
Автори K. Bendjebbar, D. Rached, W.L. Rahal, S. Bahlouli
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 5
Сторінки 05022-1 - 05022-4
Назва Вплив густини дефектів на сонячні елементи n-c-Si на основі гетеропереходу з внутрішнім тонким шаром
Автори Z. Dahlal, F. Hamdache, D. Rached, W.L. Rahal
Випуск Том 13, Рік 2021, Номер 6
Сторінки 06001-1 - 06001-4
Назва Порівняльне дослідження впливу µc-Si:H, a-Si:H, pm-Si:H та µc-SiOx як пасивуючого шару на продуктивність сонячних елементів HIT n-c-Si
Автори Z. Dahlal, F. Hamdache, D. Rached, W.L. Rahal
Випуск Том 13, Рік 2021, Номер 6
Сторінки 06002-1 - 06002-4