Назва |
Текстурування поверхні фосфіду індію |
Автори |
Я.О. Сичікова, В.В. Кідалов, О.С. Балан, Г.О. Сукач |
Випуск |
Том 2, Рік 2010, Номер 1 |
Сторінки |
084 - 088 |
Назва |
Вплив концентрації носіїв заряду фосфіда індію на формування поруватого шару |
Автори |
Я.О. Cичікова, В.В. Кідалов, Г.О. Сукач |
Випуск |
Том 2, Рік 2010, Номер 4 |
Сторінки |
075 - 081 |
Назва |
Управління параметрами GaAs:Si-p-n-структур при гіратронному опромінюванні |
Автори |
Г.О. Сукач, В.В. Кідалов |
Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 4 |
Сторінки |
138 - 149 |
Назва |
Гетероепітаксійний ріст SiC на підкладках поруватого Si методом заміщення атомів |
Автори |
В.В. Кідалов, С.А. Кукушкін,,,, А.В. Осіпов,,,, А.В. Редьков,, А.С. Гращенко, І.П. Сошніков,, М.Е. Бойко, М.Д. Шарков, А.Ф. Дяденчук |
Випуск |
Том 10, Рік 2018, Номер 3 |
Сторінки |
03026-1 - 03026-6 |