Текстурування поверхні фосфіду індію

Автори Я.О. Сичікова1 , В.В. Кідалов1 , О.С. Балан1, Г.О. Сукач2
Приналежність

1 Бердянский державний педагогічний університет, вул. Шмідта, 4, 71100, Бердянськ, Україна,

2 Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, пр. Науки 41, 03028, Київ, Україна

Е-mail v.v.kidalov@mail.ru
Випуск Том 2, Рік 2010, Номер 1
Дати Одержано 13.04.2010, у відредагованій формі – 29.04.2010
Посилання Я.О. Сичікова, В.В. Кідалов, О.С. Балан, Г.О. Сукач, Ж. нано- електрон. фіз. 2 №1, 84 (2010)
DOI
PACS Number(s) 61.43Gt, 78.30Fs, 78.55m
Ключові слова Фосфід індію (6) , Фотоелектрохімічне травлення, Скануюча електрона мікроскопія (3) , Пірамідальні кластери, Анізотропія кристалу.
Анотація
У роботі запропоновано метод фотоелектрохімічного текстурування поверхні монокристалічного фосфіду індію. За допомогою скануючої електронної мікроскопії встановлено оптимальні умови, за яких можливе формування зразків з розвиненою морфологією та рівномірним розподілом кластерів по поверхні.

Перелік посилань