| Автори | Я.О. Сичікова1 , В.В. Кідалов1 , О.С. Балан1, Г.О. Сукач2 |
| Афіліація | 1 Бердянский державний педагогічний університет, вул. Шмідта, 4, 71100, Бердянськ, Україна, 2 Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, пр. Науки 41, 03028, Київ, Україна |
| Е-mail | v.v.kidalov@mail.ru |
| Випуск | Том 2, Рік 2010, Номер 1 |
| Дати | Одержано 13.04.2010, у відредагованій формі – 29.04.2010 |
| Цитування | Я.О. Сичікова, В.В. Кідалов, О.С. Балан, Г.О. Сукач, Ж. нано- електрон. фіз. 2 №1, 84 (2010) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 61.43Gt, 78.30Fs, 78.55m |
| Ключові слова | Фосфід індію (6) , Фотоелектрохімічне травлення, Скануюча електрона мікроскопія (3) , Пірамідальні кластери, Анізотропія кристалу. |
| Анотація |
У роботі запропоновано метод фотоелектрохімічного текстурування поверхні монокристалічного фосфіду індію. За допомогою скануючої електронної мікроскопії встановлено оптимальні умови, за яких можливе формування зразків з розвиненою морфологією та рівномірним розподілом кластерів по поверхні. |
|
Перелік посилань |