Результаты (15):

Заголовок Effect of Grain Size on the Threshold Voltage for Double-Gate Polycrystaline Silicon MOSFET
Автор(ы) Mahesh Chandra, Alka Panwar, B.P. Tyag
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 3
Страницы 0474 - 0478
Заголовок Two Dimensional Analytical Modeling for SOI and SON MOSFET and Their Performance Comparison
Автор(ы) Saptarsi Ghosh, Khomdram Jolson Singh, Sanjay Deb, Subir Kumar Sarkar
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 3
Страницы 0569 - 0575
Заголовок Two-Dimensional Analytical Modeling of Threshold Voltage of Doped Short-Channel Triple-Material Double-Gate (Tm-Dg) MOSFET's
Автор(ы) Sarvesh Dubey, Dheeraj Gupta, Pramod Kumar Tiwari, S. Jit
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 3
Страницы 0576 - 0583
Заголовок A 2-D Analytical Threshold Voltage Model for Symmetric Double Gate MOSFET's Using Green’s Function
Автор(ы) Anoop Garg, S.N. Sinha, R.P. Agarwal
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 0894 - 0902
Заголовок A Doping Dependent Threshold Voltage Model of Uniformly Doped Short-Channel Symmetric Double-Gate (DG) MOSFET’s
Автор(ы) P.K. Tiwari, S. Dubey, S. Jit
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 0963 - 0971
Заголовок Impact of Scaling Gate Insulator Thickness on the Performance of Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs)
Автор(ы) Devi Dass, Rakesh Prasher, Rakesh Vaid
Выпуск Том 5, Год 2013, Номер 2
Страницы 02014-1 - 02014-6
Заголовок Confined Energy State Based Hypothetical Observations about Device Parameters of AlGaN / GaN HEMT
Автор(ы) Palash Das, Dhrubes Biswas
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 1
Страницы 01006-1 - 01006-3
Заголовок Surface Potential and Threshold Voltage Model of Fully Depleted Narrow Channel SOI MOSFET Using Analytical Solution of 3D Poisson’s Equation
Автор(ы) Prashant Mani, Manoj Kumar Pandey
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 2
Страницы 02002-1 - 02002-5
Заголовок Study of Short Channel Effects in n-FinFET Structure for Si, GaAs, GaSb and GaN Channel Materials
Автор(ы) Tawseef A. Bhat, M. Mustafa, M.R. Beigh
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 3
Страницы 03010-1 - 03010-5
Заголовок Comparison of Three Dimensional Partially and Fully Depleted SOI MOSFET Characteristics Using Mathcad
Автор(ы) Neha Goel, Manoj Kumar Pandey
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 1
Страницы 01041-1 - 01041-4
Заголовок An Analytical Universal Model for Symmetric Double Gate Junctionless Transistors
Автор(ы) N. Bora, P. Das, R. Subadar
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 2
Страницы 02003-1 - 02003-4
Заголовок Design Device for Subthreshold Slope in DG Fully Depleted SOI MOSFET
Автор(ы) Neha Goel, Manoj Kumar Pandey
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 1
Страницы 01022-1 - 01022-4
Заголовок Two Dimensional Modeling of III-V Heterojunction Gate All Around Tunnel Field Effect Transistor
Автор(ы) Manjula Vijh, R.S. Gupta, Sujata Pandey
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 1
Страницы 01030-1 - 01030-4
Заголовок Numerical Simulation and Mathematical Modeling of 3D DG SOI MOSFET with the Influence of Biasing with Back Gate
Автор(ы) Neha Goel, Manoj Kumar Pandey
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 5
Страницы 05002-1 - 05002-4
Заголовок Analytical Modeling & Simulation of OFF-State Leakage Current for Lightly Doped MOSFETs
Автор(ы) Nitin Sachdeva, Munish Vashishath, P.K. Bansal
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 6
Страницы 06009-1 - 06009-4