Результаты (21):

Заголовок Fabrication of ZnxCd1–xSe Nanowires by cvd Process and Photoluminescence Studies
Автор(ы) R.P. Vijayalakshmi, G. Murali, D. Amaranatha Reddy, R. Venugopal
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 1
Страницы 0140 - 0145
Заголовок A study of the evolution of the silicon nanocrystallites in the amorphous silicon carbide under argon dilution of the source gases
Автор(ы) A. Kole, P. Chaudhuri
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 1
Страницы 0155 - 0161
Заголовок MOCVD of Cobalt Oxide Using Co-Actylacetonate as Precursor: Thin Film Deposition and Study of Physical Properties
Автор(ы) S.M. Jogade, P.S. Joshi, B.N. Jamadar, D.S. Sutrave
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 1
Страницы 0203 - 0211
Заголовок Field-emission study of multi-Field-Emission Study of Multi-Walled Carbon Nanotubes Grown on Si Substrate by Low Pressure Chemical Vapor Depositioncarbon nanotubes grown on si substrate by low pressure chemical vapor deposition
Автор(ы) J. Ali, A. Kumar, S. Husain, S. Parveen, M. Husain
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 2
Страницы 0358 - 0361
Заголовок Properties of Silicon Dioxide Films Prepared Using Silane and Oxygen Feeds by PE-CVD at low Power Plasma
Автор(ы) S.P. Gore, A.M. Funde, T.S. Salve, T.M. Bhave, S.R. Jadkar, S.V. Ghaisas
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 2
Страницы 0370 - 0375
Заголовок Effect of Number of Filaments on the Structure, Composition and Electrical Properties of µc-Si:h Layers Deposited Using HWCVD Technique
Автор(ы) S.K. Soni, R.O. Dusane
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 3
Страницы 0551 - 0557
Заголовок Inter-Electrode Separation Induced Amorphous-to-Nanocrystalline Transition of Hydrogenated Silicon Prepared by Capacitively Coupled RF PE-CVD Technique
Автор(ы) A.M. Funde, V.S. Waman, M.M. Kamble, M.R. Pramod, V.G. Sathe, S.W. Gosavi, S.R. Jadkar
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 4
Страницы 0651 - 0661
Заголовок Designing Single Chamber Hwcvd System for High Deposition Rate Device Quality A-Si:h Thin Films and Solar Cells
Автор(ы) N.A. Wadibhasme, S.K. Soni, Alka Kumbhar, Nagsen Meshram, R.O. Dusane
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 0942 - 0946
Заголовок Porous Silicon & Titanium Dioxide Coatings Prepared by Atmospheric Pressure Plasma Jet Chemical Vapour Deposition Technique-A Novel Coating Technology for Photovoltaic Modules
Автор(ы) S. Bhatt, J. Pulpytel, F. Krcma, V. Mazankova, F. Arefi-Khonsari
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 1021 - 1034
Заголовок Effective Passivation of C-Si by Intrinsic A-Si:h Layer for hit Solar Cells
Автор(ы) Shahaji More, R.O. Dusane
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 1, Part 5
Страницы 1120 - 1126
Заголовок Synthesis and Photoluminescence Studies on Catalytically Grown Zn1–xMnxS Nanowires
Автор(ы) R.P. Vijayalakshmi, G. Murali, D. Amaranatha Reddy, R. Venugopal, B.K. Reddy
Выпуск Том 3, Год 2011, Номер 2
Страницы 005 - 010
Заголовок Helium Induced Structural Disorder in Hydrogenated Nanocrystalline Silicon (nc-Si:H) Thin Films Prepared by HW-CVD Method
Автор(ы) Nabeel A. Bakr
Выпуск Том 4, Год 2012, Номер 3
Страницы 03006-1 - 03006-7
Заголовок Field Emission Behaviour of the Single Wall Carbon Nanotubes Grown by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) System
Автор(ы) Avshish Kumar, Shama Parveen, Samina Husain, Javid Ali, Harsh, M. Husain
Выпуск Том 5, Год 2013, Номер 2
Страницы 02012-1 - 02012-3
Заголовок Структурные, механические и оптические свойства плазмохимических Si-C-N пленок
Автор(ы) А.А. Козак, В.И. Иващенко, А.К. Порада, Л.А. Иващенко, Т.В. Томила
Выпуск Том 6, Год 2014, Номер 4
Страницы 04047-1 - 04047-5
Заголовок Оптические свойства плазмохимических гидрогенизированных Si-C-N пленок
Автор(ы) А.А. Козак, В.И. Иващенко, А.К. Порада, Л.А. Иващенко, В.Я. Малахов, Т.В. Томила
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 3
Страницы 03040-1 - 03040-6
Заголовок Экспресс метод анализа морфологических параметров графеновых покрытий на медной подложке
Автор(ы) О.В. Соболь, И.Н. Колупаев, А.В. Мураховский, В.С. Левицкий, Т.С. Кольцова, М.В. Козлова, Т.В. Ларионова, В.О. Соболь
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 4
Страницы 04013-1 - 04013-5
Заголовок Фотолюминесцентные свойства PECVD пленок на основе Si, C, N
Автор(ы) А.К. Порада, В.С. Манжара, А.А. Козак, В.И. Иващенко, Л.А. Иващенко
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 2
Страницы 02022-1 - 02022-6
Заголовок Raman Study of CVD Graphene Irradiated by Swift Heavy Ions
Автор(ы) E.A. Kolesov, M.S. Tivanov, O.V. Korolik, P. Yu. Apel, V.A. Skuratov, A.M. Saad, I.V. Komissarov, A. Swic, P.V. Żukowski, T.N. Koltunowicz
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 3
Страницы 03020-1 - 03020-4
Заголовок Формирование квантовых точек InAs в матрице GaAs в кинетическом режиме для CVD-метода
Автор(ы) С. К. Губа
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 3
Страницы 03026-1 - 03026-4
Заголовок Performance of p-i-n Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film Solar Cells Device
Автор(ы) H. Yanuar, U. Lazuardi
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 2
Страницы 02045-1 - 02045-3
Заголовок High Band Gap Nanocrystalline Tungsten Carbide (nc-WC) Thin Films Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition (HW-CVD) Method
Автор(ы) Bharat Gabhale, Ashok Jadhawar, Ajinkya Bhorde, Shruthi Nair, Haribhau Borate, Ravindra Waykar, Rahul Aher, Priyanka Sharma, Amit Pawbake, Sandesh Jadkar
Выпуск Том 10, Год 2018, Номер 3
Страницы 03001-1 - 03001-6