Автори | М.С. Сорокін1, А.В. Архіпов2 |
Афіліація | 1 Харковьский національний технічний університет сільського господарства ім. Петра Василенка вул. Енгельса, 19, 61002, Харків, Україна 2 Інститут радіофізики та електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України вул. ак. Проскури, 12, 61085 Харків, Україна |
Е-mail | obel@ire.kharkov.ua |
Випуск | Том 1, Рік 2009, Номер 4 |
Дати | Одержано, 18.11.2009, у відредагованій формі – 05.12.2009 |
Цитування | М.С. Сорокін, А.В. Архіпов, Ж. нано- електрон. фіз. 1 №4, 24 (2009) |
DOI | |
PACS Number(s) | 52.80.Pi, 44.10.+ i |
Ключові слова | Теплопровідність температуропровідність, Тривалість імпульсу (3) , Шпаруватість импульсу, Тепловий опір. |
Анотація |
Розв’язана нестаціонарна задача теплового процесу для імпульсного режиму ЛПД. Розглянута одновимірна теплова модель цих діодів, в якій враховані неоднорідність розподілу теплової потужності та розтікання тепла вздовж тепловідводу у робочому інтервалі температур. Наведені результати чисельного розрахунку залежності середньої температури активного шару та теплового опору від параметрів імпульсу, а також від геометричних та теплофізичних параметрів діода. |
Перелік цитувань |