Морфологія поверхні та оптичні властивості плівок CdSe отриманих методом квазізамкненого об’єму

Автори В.В. Старіков1, М.М. Іващенкo2, А.С. Опанасюк2 , В.Л. Перевертайло3
Приналежність

1 Національний технічний університет «ХПІ», вул. Фрунзе, 21, 61002 Харьків, Україна

2 Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова 2, 40007, Суми, Україна

3 Науково-дослідний інститут мікроприладів, вул. Північно-Сирецька, 3, 04136, Київ, Україна

Е-mail vadym_starikov@mail.ru, m_ivashchenko@ukr.net, opanasyuk_sumdu@ukr.net, detector@carrier.kiev.ua
Випуск Том 1, Рік 2009, Номер 4
Дати Одержано 27.10.2009, у відредагованій формі – 20.11.2009
Посилання В.В. Старіков, М.М. Іващенкo, А.С. Опанасюк, В.Л. Перевертайло, Ж. нано- електрон. фіз. 1 №4, 100 (2009)
DOI
PACS Number(s) 68.37.Hk, 78.66.Hf, 81.15.Ef
Ключові слова Плівки селеніду кадмію, Морфологія поверхні (10) , Коефіцієнт пропускання (3) , Коефіцієнт відбиття (10) , Ширина забороненої зони (18) .
Анотація
В роботі проведено дослідження морфології поверхні, механізмів росту та оптичних властивостей плівок CdSe, одержаних методом термічного випаровування у квазізамкненому об’ємі, які є перспективними для використання у якості поглинаючих шарів тандемних сонячних елементів та фотодетекторів. Вимірювання оптичних характеристик шарів здійснювалося методами спектрофотометричного аналізу поблизу «червоної межі» фотоактивності напівпровідника. Проведені дослідження дали можливість отримати спектральні розподіли коефіцієнтів пропускання Т(λ), відбиття R(λ), поглинання α(λ), заломлення n(λ), реальної ε1(λ) та уявної ε2(λ) частин оптичної діелектричної сталої зразків та виявити їх залежність від температури осадження плівок.

Перелік посилань