Вплив наноструктурних змін на напружене корозійне розтріскування конструкційних матеріалів ядерної енергетики при опроміненні протонами
| Автори | М.М. Луніка |
| Афіліація | Інститут прикладної фізики НАН України, вул. Петропавлівська, 58, 40030, Суми, Україна |
| Е-mail | mlunika@ipflab.sumy.ua |
| Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 3 |
| Дати | Одержано 11.05.2011, у відредагованій формі – 05.10.2011 опубліковано online – 05.11.2011 |
| Цитування | М.М. Луніка, Ж. нано- електрон. фіз. 3 №3, 148 (2011) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 61.46.Bc |
| Ключові слова | Наноструктура (16) , Напружене корозійне розтріскування при опроміненні, Локалізована деформація, Енергія дефекту пакування, Межа зерна (4) . |
| Анотація |
Аустенітні нержавіючі сплави широко використовуються як конструкційний матеріал внутрішніх вузлів реактора звичайної води (РЗВ), так як мають відносно високу міцність, пластичність та тріщиностійкість. Напружене корозійне розтріскування при опроміненні (НОКР) – головний процес деградації, який вражає внутрішні вузли РЗВ, які опромінюються. В огляді розглянуті існуючі дані по властивостях аустенітних сплавів після опромінення протонами з метою оцінки впливу ключових параметрів таких, як елементний склад матеріалу, доза опромінення на чутливість цих матеріалів до НОКР в умовах роботи РЗВ. Важливість деформаційної наноструктури та змін енергії дефекту пакування (ЕДП) матеріалу для чутливості до НОКР також обговорюється. Результати показують, що чутливість сплавів до НОКР зростає з збільшенням дози опромінення і зменшенням ЕДП. НОКР має схильність зароджуватись в локальностях, де ковзаючі дислокаційні канали перетинають границі зерен. Локалізована деформація, яка створюється ковзанням межі зерна завдяки взаємодії ковзаючих каналів та границь зерен ймовірно є первопричиною зародження тріщини. Це може грати ключову роль в основному механізмі НОКР вузлів РЗВ. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Preparation and Properties of Zinc Doped Cadmium Selenide Compounds by E-Beam Evaporation [005-014]2) TM Plasmons in a Cylindrical Superlattices (Lans) Wave-Guide Structure [015-027]
3) On the Transconductance of Polysilicon Thin Film Transistors [028-035]
4) Determination of Thermal Activation Energy and Grain Size of Iron Hexadecachloro Phthalocyanine Thin Films [036-041]
5) Mathematical Simulation of Graphene With Modified c-c Bond Length and Transfer Energy [042-050]
6) Імітаційне моделювання впливу робочої температури і товщини шару на властивості тонкоплівкового сонячного елементу CIGS [051-058]
7) Нерівноважні стаціонарні режими межового тертя [059-069]
8) Методи формування і аналізу інтенсивних пучків електронів у статичних електромагнітних полях (огляд) [070-084]
9) Розрахунок системи фокусування електронного пучка в іонному джерелі масс-спектрометра з іонізацією електронним ударом [085-089]
10) Моделювання електричних характеристик сонячного елемента на основі кремнію [090-099]
11) Мультигармонічні формувачі фемтосекундних електромагнітних кластерів на базі «звичайних» ЛВЕ: Аналіз [100-113]
12) Композитні наноструктури з металевими елементами [114-126]
13) Електронно-коливальна структура спектрів поглинання резазурину [127-138]
14) Структурні особливості нанокристалічного магнетиту різних варіантів синтезу за даними рентгенівської дифракції та електронної мікроскопії [139-147]
