Електронно-коливальна структура спектрів поглинання резазурину
| Автори | П.О. Кондратенко1 , Ю.М. Лопаткін2 , Т.М. Сакун1 |
| Приналежність | 1 Національний авіаційний університет, пр. Космонавта Комарова, 1, 03680, Київ, Україна
2 Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007, Суми, Україна |
| Е-mail | pkondrat@ukr.net, yu.lopatkin@gmail.com |
| Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 3 |
| Дати | Одержано 16.05.2011, у відредагованій формі – 30.10.2011, опубліковано online – 05.11.2011 |
| Посилання | П.О. Кондратенко, Ю.М. Лопаткін, Т.М. Сакун, Ж. нано- електрон. фіз. 3 №3, 127 (2011) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 33.20.Ea + 33.20.Kf + 33.20.Tp |
| Ключові слова | Електронно-коливальна взаємодія, Електронні стани (5) , Молекула резазурину, Квантові переходи, Симетрія молекули. |
| Анотація |
В роботі проведені експериментальні і теоретичні дослідження спектральних характеристик молекули резазурину. Порівняння результатів експериментальних і теоретичних досліджень дозволило виявити, що спектр поглинання у видимій області формується квантовими переходами між електронними станами молекули, а також електронно-коливальною взаємодією. В роботі запропоновано метод отримання теоретичних результатів з контролем симетрії молекули. Це дозволило отримати повністю узгоджені теоретичні і експериментальні результати як за положенням так і за величиною коефіцієнта екстинкції і виявити природу всіх квантових переходів і коливальних частот. Показано, що смуги поглинання у видимій області спектра формуються за участю повносимет-ричних коливань молекули, серед яких найбільшою участю виділяються коливання з частотами в області 478 см – 1, 1467 см – 1, а також групою коливальних частот в області 1800-2000 см – 1, які виявились меншими за знайдені теоретично для основного стану молекули, оскільки при збудженні молекули ступінь розпушування зв’язків, відповідальних за вказані коливання, зростає. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Preparation and Properties of Zinc Doped Cadmium Selenide Compounds by E-Beam Evaporation [005-014]2) TM Plasmons in a Cylindrical Superlattices (Lans) Wave-Guide Structure [015-027]
3) On the Transconductance of Polysilicon Thin Film Transistors [028-035]
4) Determination of Thermal Activation Energy and Grain Size of Iron Hexadecachloro Phthalocyanine Thin Films [036-041]
5) Mathematical Simulation of Graphene With Modified c-c Bond Length and Transfer Energy [042-050]
6) Імітаційне моделювання впливу робочої температури і товщини шару на властивості тонкоплівкового сонячного елементу CIGS [051-058]
7) Нерівноважні стаціонарні режими межового тертя [059-069]
8) Методи формування і аналізу інтенсивних пучків електронів у статичних електромагнітних полях (огляд) [070-084]
9) Розрахунок системи фокусування електронного пучка в іонному джерелі масс-спектрометра з іонізацією електронним ударом [085-089]
10) Моделювання електричних характеристик сонячного елемента на основі кремнію [090-099]
11) Мультигармонічні формувачі фемтосекундних електромагнітних кластерів на базі «звичайних» ЛВЕ: Аналіз [100-113]
12) Композитні наноструктури з металевими елементами [114-126]
13) Структурні особливості нанокристалічного магнетиту різних варіантів синтезу за даними рентгенівської дифракції та електронної мікроскопії [139-147]
14) Вплив наноструктурних змін на напружене корозійне розтріскування конструкційних матеріалів ядерної енергетики при опроміненні протонами [148-164]
