Імітаційне моделювання впливу робочої температури і товщини шару на властивості тонкоплівкового сонячного елементу CIGS
| Автори | А.Д. Погребняк , A.K.M. Мухаммед |
| Афіліація | Сумський державний університет вул. Римського-Корсакова, 2, 40002 Суми, Україна |
| Е-mail | alexp@i.ua |
| Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 3 |
| Дати | Одержано 21.09. 2011, у відредагованій формі 27.10.2011, опобліковано онлайн 05.11.2011 |
| Цитування | А.Д. Погребняк, A.K.M. Мухаммед, Ж. нано- електрон. фіз. 3 №3, 51 (2011) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 61.05.cm, 61.46.Hk, 62.20.Qp.68.37.Hk, 81.15.-z |
| Ключові слова | CIGS (11) , SCAPS (28) , Сонячний елемент (34) , Гетероперехід (14) , Робоча температура (3) , Товщина (17) . |
| Анотація |
Програма SCAPS розроблена з метою моделювання і вивчення властивостей фотонних приладів. Були досліджені важливі регульовані конструктивні параметри, що впливають на характеристики сонячних елементів з гетеропереходом, зокрема, робоча температура. Було відмічено, що вольт-амперні характеристики (ВАХ) зростають зі збільшенням температури T. У дослідженні вивчено вплив товщини кожного шару на властивості сонячного елементу. Також було визначено, що ВАХ зростають зі збільшенням p-шару. На чисельному прикладі, шар поглинання 3 мкм і CdS шар 0.05 мкм, ZnO шар 0.1 мкм, є найкращими параметрами для заданої концентрації домішки. Якщо змінити оптимальне значення, то ефективність може досягати 17,72 % з FF = 83,88 %, Voc = 0,725 В, Jsc = 29,07 мА/см2 при 300 К. В цьому випадку можна отримати оптимальні параметри для досягнення найкращих характеристик цього типа фотоелементів і порівняти з характеристиками елементів CIGS (мідь-індій-диселенід галію). |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Preparation and Properties of Zinc Doped Cadmium Selenide Compounds by E-Beam Evaporation [005-014]2) TM Plasmons in a Cylindrical Superlattices (Lans) Wave-Guide Structure [015-027]
3) On the Transconductance of Polysilicon Thin Film Transistors [028-035]
4) Determination of Thermal Activation Energy and Grain Size of Iron Hexadecachloro Phthalocyanine Thin Films [036-041]
5) Mathematical Simulation of Graphene With Modified c-c Bond Length and Transfer Energy [042-050]
6) Нерівноважні стаціонарні режими межового тертя [059-069]
7) Методи формування і аналізу інтенсивних пучків електронів у статичних електромагнітних полях (огляд) [070-084]
8) Розрахунок системи фокусування електронного пучка в іонному джерелі масс-спектрометра з іонізацією електронним ударом [085-089]
9) Моделювання електричних характеристик сонячного елемента на основі кремнію [090-099]
10) Мультигармонічні формувачі фемтосекундних електромагнітних кластерів на базі «звичайних» ЛВЕ: Аналіз [100-113]
11) Композитні наноструктури з металевими елементами [114-126]
12) Електронно-коливальна структура спектрів поглинання резазурину [127-138]
13) Структурні особливості нанокристалічного магнетиту різних варіантів синтезу за даними рентгенівської дифракції та електронної мікроскопії [139-147]
14) Вплив наноструктурних змін на напружене корозійне розтріскування конструкційних матеріалів ядерної енергетики при опроміненні протонами [148-164]
