Mathematical Simulation of Graphene With Modified c-c Bond Length and Transfer Energy
| Автори | P.A. Alvi1, S.Z. Hashmi2, S. Dalela1, F. Rahman3 |
| Приналежність | 1 Dapartment of Physics, School of Physical Sciences, Banasthali University, Banasthali-304022, Rajasthan, India 2 Department of Chemistry, Banasthali University, Banasthali-304022, Rajasthan, India 3 Department of Physics, Aligarh Muslim University, Aligarh-202002, India |
| Е-mail | drpaalvi@gmail.com |
| Випуск | Том 3, Рік 2011, Номер 3 |
| Дати | Received 08 June 2011, in final form 29 September 2011 published online 05 November 2011 |
| Посилання | P.A. Alvi, S.Z. Hashmi, S. Dalela, F. Rahman, J. Nano- Electron. Phys. 3 No3, 42 (2011) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 31.10. + z, 31.15.ae, 31.15.A, 71.15 – m |
| Ключові слова | Graphene (23) , Tight binding approximation, Electronic structure (3) , Transfer energy. |
| Анотація |
In nanotechnology research, allotropes of carbon like Graphene, Fullerene (Buckyball) and Carbon nanotubes are widely used due to their remarkable properties. Electrical and mechanical properties of those allotropes vary with their molecular geometry. This paper is specially based on modeling and simulation of graphene in order to calculate energy band structure in k space with varying the C-C bond length and C-C transfer energy. Significant changes have been observed in the energy band structure of graphene due to variation in C-C bond length and C-C transfer energy. In particular, this paper focuses over the electronic structure of graphene within the frame work of tight binding approximation. It has been reported that conduction and valence states in graphene only meet at two points in k-space and that dispersion around these special points is conical. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Preparation and Properties of Zinc Doped Cadmium Selenide Compounds by E-Beam Evaporation [005-014]2) TM Plasmons in a Cylindrical Superlattices (Lans) Wave-Guide Structure [015-027]
3) On the Transconductance of Polysilicon Thin Film Transistors [028-035]
4) Determination of Thermal Activation Energy and Grain Size of Iron Hexadecachloro Phthalocyanine Thin Films [036-041]
5) Імітаційне моделювання впливу робочої температури і товщини шару на властивості тонкоплівкового сонячного елементу CIGS [051-058]
6) Нерівноважні стаціонарні режими межового тертя [059-069]
7) Методи формування і аналізу інтенсивних пучків електронів у статичних електромагнітних полях (огляд) [070-084]
8) Розрахунок системи фокусування електронного пучка в іонному джерелі масс-спектрометра з іонізацією електронним ударом [085-089]
9) Моделювання електричних характеристик сонячного елемента на основі кремнію [090-099]
10) Мультигармонічні формувачі фемтосекундних електромагнітних кластерів на базі «звичайних» ЛВЕ: Аналіз [100-113]
11) Композитні наноструктури з металевими елементами [114-126]
12) Електронно-коливальна структура спектрів поглинання резазурину [127-138]
13) Структурні особливості нанокристалічного магнетиту різних варіантів синтезу за даними рентгенівської дифракції та електронної мікроскопії [139-147]
14) Вплив наноструктурних змін на напружене корозійне розтріскування конструкційних матеріалів ядерної енергетики при опроміненні протонами [148-164]
