Фотоелектричне перетворення сигналу в глибокому p-n- переході як засіб детектування карбонових нанотрубок з адсорбованим сульфанолом у водному розчині
| Автори | А.И. Манилов1,3, А.В. Козинец1, И.В. Гаврильченко1,3, Ю.С. Милованов1,3, Т.М. Мухамеджанов1,2, С.А. Алексеев2,3, М. Аль Араими4,5, С.В. Литвиненко1,3 , А. Рожин4, В.А. Скрышевский1,3 |
| Афіліація | 1 Інститут високих технологій, Київський національний університет імені Тараса Шевченка, вул. Володимирська, 64, 01033 Київ, Україна 2 Хімічний факультет, Київський національний університет імені Тараса Шевченка, вул. Володимирська, 64, 01033 Київ, Україна 3 Корпорація «Науковий парк Київський національний університет імені Тараса Шевченка», вул. Володимирська, 60, 01033 Київ, Україна 4 Дослідницька група по нанотехнологіям, Астонський інститут фотонних технологій, Школа інженерії і прикладних наук, Університет Астона, Трикутник Астона, B4 7ET Бірмінгем, Великобританія 5 Інженерний департамент, Технологічний коледж Аль Мусанни, Муладда Мусанна, Султанат Оман |
| Е-mail | anmanilov@univ.kiev.ua |
| Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 4 |
| Дати | Одержано 13.06.2017, опубліковано online - 27.07.2017 |
| Цитування | А.И. Манилов, А.В. Козинец, И.В. Гаврильченко, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 4, 04020 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(4).04020 |
| PACS Number(s) | 68.08.p, 82.47.Rs, 81.07.De |
| Ключові слова | Сенсор (50) , Карбонові наночастинки (2) , Фотострум (6) , Швидкість поверхневої рекомбінації, Глибокий p-n перехід. |
| Анотація | Показана можливість застосування принципу фотоелектричного перетворення в структурах з глибоким р-n переходом для контролю вмісту карбонових нанотрубок з адсорбованою ПАР (сульфанолом) у водному розчині. Проведено експериментальні дослідження впливу аналіту на зміни фотоструму крізь глибокий р-n перехід. Зареєстровано зсув залежності фотоструму від напруги, прикладеної до поверхні сенсорної структури, обумовлений присутністю карбонових нанотрубок у розчині. Зміни ефективної швидкості рекомбінації, що відповідають розподілу фотоструму на поверхні, можуть бути зумовлені зміною приповерхневого вигину зон. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Influence of Characteristic Energies and Charge Carriers Mobility on the Performance of a HIT Solar Cell [04001-1-04001-5]2) The Performance Optimization of Thin-Film Solar Converters Based on n-ZnMgO / p-CuO Heterojunctions [04002-1-04002-4]
3) Synthesis and Characterization of a New Aluminium Complex Bis (5-choloro-8-hydroxyquinoline)(2,2’bipyridine) Aluminium Al(Bpy)(5-Clq)2 [04003-1-04003-4]
4) Small Signal Parameter Extraction of III-V Heterojunction Surrounding Gate Tunnel Field Effect Transistor [04004-1-04004-4]
5) A Simple Approach on Synthesis of TiO2 Nanoparticles and its Application in dye Sensitized Solar Cells [04005-1-04005-6]
6) Study and Analysis of SBD Detector Sensitivity Based on Au-InP and Au-GaAs Structures [04006-1-04006-5]
7) Impact of SWCNT Band Gaps on the Performance of a Ballistic Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs) [04007-1-04007-5]
8) Вплив структурно-фазового стану на магніторезистивні властивості плівкових систем на основі FexNi100 – x та Cu [04008-1-04008-5]
9) Polaron Model of Traps and their Activation Energies in KBr Crystals [04009-1-04009-5]
10) Зміна провідності кремнієвих структур в атмосфері оксиду азоту: квантовохімічне моделювання [04010-1-04010-6]
11) Магніторезистивні та магніто-оптичні ефекти в гранульованих плівкових сплавах на основі Co, Au і Fe [04011-1-04011-6]
12) New Higher Excited Energy Levels of Rydberg States for Weakest Bound Potential Model Theory: Extended Quantum Mechanics [04012-1-04012-7]
13) Особливості модифікуючої обробки низьковуглецевих сталей сильнострумовим релятивістським електронним пучком [04013-1-04013-6]
14) Вплив параметрів магнетронного розпилення на структуру і субструктурні характеристики плівок дибориду танталу [04014-1-04014-5]
15) Модифікований метод вимірювання величини спонтанної поляризації сегнетоелектричних рідких кристалів [04015-1-04015-5]
16) Електрон-фотонна емісія азотистої основи нуклеїнових кислот – цитозина в твердій фазі [04016-1-04016-5]
17) Наноструктуровані матеріали на основі гідроксиапатиту та альгінату для медицини [04017-1-04017-12]
18) Comparative Analysis of CNTFET and CMOS Logic based Arithmetic Logic Unit [04018-1-04018-4]
19) Development of Numerical Method for Optimizing Silicon Solar Cell Efficiency [04019-1-04019-6]
20) Формування фотоакустичного відгуку в наноструктурованих композитних системах «порувата матриця – рідина» [04021-1-04021-7]
21) Magnetic First-order Phase Transitions in Nano-cluster Systems within the Framework of Landau Approximation [04022-1-04022-5]
22) Закономірності формування нітридних покриттів на основі багатокомпонентних сплавів [04023-1-04023-5]
23) Енергетичний спектр сигналів акустичної емісії в складних середовищах [04024-1-04024-5]
24) Першопринципне моделювання взаємодії крайової дислокації з домішковими атомами кисню та вуглецю в кремнії [04025-1-04025-4]
25) Режим надшвидкого атомного транспорту та інші процеси у сплаві титану,модифікованого іонною та циклічною термічною обробкою [04026-1-04026-6]
26) Дослідження електричних полів прийомного п’єзокерамічного перетворювача з узгодженим шаром [04027-1-04027-7]
27) Thermoelectric Properties of the Colloidal Bi2S3-Based Nanocomposites [04028-1-04028-3]
