Фотоелектричне перетворення сигналу в глибокому p-n- переході як засіб детектування карбонових нанотрубок з адсорбованим сульфанолом у водному розчині

Автори	А.И. Манилов¹^,³, А.В. Козинец¹, И.В. Гаврильченко¹^,³, Ю.С. Милованов¹^,³, Т.М. Мухамеджанов¹^,², С.А. Алексеев²^,³, М. Аль Араими⁴^,⁵, С.В. Литвиненко¹^,³ , А. Рожин⁴, В.А. Скрышевский¹^,³
Приналежність	¹ Інститут високих технологій, Київський національний університет імені Тараса Шевченка, вул. Володимирська, 64, 01033 Київ, Україна ² Хімічний факультет, Київський національний університет імені Тараса Шевченка, вул. Володимирська, 64, 01033 Київ, Україна ³ Корпорація «Науковий парк Київський національний університет імені Тараса Шевченка», вул. Володимирська, 60, 01033 Київ, Україна ⁴ Дослідницька група по нанотехнологіям, Астонський інститут фотонних технологій, Школа інженерії і прикладних наук, Університет Астона, Трикутник Астона, B4 7ET Бірмінгем, Великобританія ⁵ Інженерний департамент, Технологічний коледж Аль Мусанни, Муладда Мусанна, Султанат Оман
Е-mail	anmanilov@univ.kiev.ua
Випуск	Том 9, Рік 2017, Номер 4
Дати	Одержано 13.06.2017, опубліковано online - 27.07.2017
Посилання	А.И. Манилов, А.В. Козинец, И.В. Гаврильченко, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 4, 04020 (2017)
DOI	10.21272/jnep.9(4).04020
PACS Number(s)	68.08.p, 82.47.Rs, 81.07.De
Ключові слова	Сенсор (39) , Карбонові наночастинки (2) , Фотострум (3) , Швидкість поверхневої рекомбінації, Глибокий p-n перехід.
Анотація	Показана можливість застосування принципу фотоелектричного перетворення в структурах з глибоким р-n переходом для контролю вмісту карбонових нанотрубок з адсорбованою ПАР (сульфанолом) у водному розчині. Проведено експериментальні дослідження впливу аналіту на зміни фотоструму крізь глибокий р-n перехід. Зареєстровано зсув залежності фотоструму від напруги, прикладеної до поверхні сенсорної структури, обумовлений присутністю карбонових нанотрубок у розчині. Зміни ефективної швидкості рекомбінації, що відповідають розподілу фотоструму на поверхні, можуть бути зумовлені зміною приповерхневого вигину зон.
	Перелік посилань Повний текст English version of article

Інші статті цього номера

1) Influence of Characteristic Energies and Charge Carriers Mobility on the Performance of a HIT Solar Cell [04001-1-04001-5]
2) The Performance Optimization of Thin-Film Solar Converters Based on n-ZnMgO / p-CuO Heterojunctions [04002-1-04002-4]
3) Synthesis and Characterization of a New Aluminium Complex Bis (5-choloro-8-hydroxyquinoline)(2,2’bipyridine) Aluminium Al(Bpy)(5-Clq)2 [04003-1-04003-4]
4) Small Signal Parameter Extraction of III-V Heterojunction Surrounding Gate Tunnel Field Effect Transistor [04004-1-04004-4]
5) A Simple Approach on Synthesis of TiO2 Nanoparticles and its Application in dye Sensitized Solar Cells [04005-1-04005-6]
6) Study and Analysis of SBD Detector Sensitivity Based on Au-InP and Au-GaAs Structures [04006-1-04006-5]
7) Impact of SWCNT Band Gaps on the Performance of a Ballistic Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs) [04007-1-04007-5]
8) Вплив структурно-фазового стану на магніторезистивні властивості плівкових систем на основі FexNi100 – x та Cu [04008-1-04008-5]
9) Polaron Model of Traps and their Activation Energies in KBr Crystals [04009-1-04009-5]
10) Зміна провідності кремнієвих структур в атмосфері оксиду азоту: квантовохімічне моделювання [04010-1-04010-6]
11) Магніторезистивні та магніто-оптичні ефекти в гранульованих плівкових сплавах на основі Co, Au і Fe [04011-1-04011-6]
12) New Higher Excited Energy Levels of Rydberg States for Weakest Bound Potential Model Theory: Extended Quantum Mechanics [04012-1-04012-7]
13) Особливості модифікуючої обробки низьковуглецевих сталей сильнострумовим релятивістським електронним пучком [04013-1-04013-6]
14) Вплив параметрів магнетронного розпилення на структуру і субструктурні характеристики плівок дибориду танталу [04014-1-04014-5]
15) Модифікований метод вимірювання величини спонтанної поляризації сегнетоелектричних рідких кристалів [04015-1-04015-5]
16) Електрон-фотонна емісія азотистої основи нуклеїнових кислот – цитозина в твердій фазі [04016-1-04016-5]
17) Наноструктуровані матеріали на основі гідроксиапатиту та альгінату для медицини [04017-1-04017-12]
18) Comparative Analysis of CNTFET and CMOS Logic based Arithmetic Logic Unit [04018-1-04018-4]
19) Development of Numerical Method for Optimizing Silicon Solar Cell Efficiency [04019-1-04019-6]
20) Формування фотоакустичного відгуку в наноструктурованих композитних системах «порувата матриця – рідина» [04021-1-04021-7]
21) Magnetic First-order Phase Transitions in Nano-cluster Systems within the Framework of Landau Approximation [04022-1-04022-5]
22) Закономірності формування нітридних покриттів на основі багатокомпонентних сплавів [04023-1-04023-5]
23) Енергетичний спектр сигналів акустичної емісії в складних середовищах [04024-1-04024-5]
24) Першопринципне моделювання взаємодії крайової дислокації з домішковими атомами кисню та вуглецю в кремнії [04025-1-04025-4]
25) Режим надшвидкого атомного транспорту та інші процеси у сплаві титану,модифікованого іонною та циклічною термічною обробкою [04026-1-04026-6]
26) Дослідження електричних полів прийомного п’єзокерамічного перетворювача з узгодженим шаром [04027-1-04027-7]
27) Thermoelectric Properties of the Colloidal Bi2S3-Based Nanocomposites [04028-1-04028-3]