| Автори | M. Hebali1, 2 , M. Bennaoum1, H.A. Azzeddine1, B. Ibari1, M. Benzohra3, D. Chalabi2 |
| Афіліація |
1Department of Electrotechnical, University Mustapha STAMBOULI Mascara, 29000 Mascara, Algeria 2Laboratory CaSiCCe, ENP Oran-MA, 31000 Oran, Algeria 3Department of Networking and Telecommunications, University of Rouen, Laboratory LECAP, 76000, France |
| Е-mail | mourad.hebali@univ-mascara.dz |
| Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 6 |
| Дати | Одержано 13 червня 2020; у відредагованій формі 21 грудня 2020; опубліковано online 25 грудня 2020 |
| Цитування | M. Hebali, M. Bennaoum, H.A. Azzeddine, et al., Ж. нано- електрон. фіз. 12 №6, 06033 (2020) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(6).06033 |
| PACS Number(s) | 81.07.Gf |
| Ключові слова | Кремній (98) , Сонячний наноелемент, Кремнієві нанодроти (SiNWs), Статична характе-ристика, Електричні параметри (6) . |
| Анотація |
Сонячні елементи з кремнієвих нанодротів (SiNWs) стають важливим напрямом наукових досліджень, особливо в галузі нових технологій у фотоелектричній енергетиці. У роботі вивчаються статичні характеристики (I-V, P-V) та різні електричні параметри (ISC, VOC, Imax, Vmax, Pmax та FF) сонячного наноелементу з SiNWs в залежності від кількості нанодротів (n) при кімнатній температурі та під дією глобальних (AM1.5G) спектрів освітлення за допомогою програмного забезпечення 2D-Atlas SILVACO. Результати моделювання показують, що сонячний елемент з кремнієвих нанодротів (SiNWs) характеризується гарними електричними характеристиками та високою продуктивністю. Збільшення кількості нанодротів – це хороша технологія для поліпшення поведінки та електричних характеристик сонячних елементів з SiNWs. |
|
Перелік посилань |