Автори | Г.О. Андрущак, П.Д. Марянчук |
Афіліація |
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012 Чернівці, Україна |
Е-mail | g.andrushchak@chnu.edu.ua |
Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 6 |
Дати | Одержано 1 червня 2020; у відредагованій формі 19 грудня 2020; опубліковано online 25 грудня 2020 |
Цитування | Г.О. Андрущак, П.Д. Марянчук, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 6, 06032 (2020) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(6).06032 |
PACS Number(s) | 73.61.Le, 81.40.Tv |
Ключові слова | Напівпровідник (52) , Халькогеніди ртуті, Ефективна маса (3) , Показник заломлення (11) , Оптична ширина забороненої зони (7) . |
Анотація |
В роботі проведено дослідження оптичних властивостей кристалів Hg1 – xMnxS, Hg1 – x – уMnxFеуS, Hg1 – x – уMnxFеуSe1 – zSz. Напівмагнітні напівпровідникові тверді розчини Hg1 – xMnxS, Hg1 – x – уMnxFеуS, Hg1 – x – уMnxFеуSe1 – zSz (область існування яких 0 < х ≤ 0,375), одержані методом Бріджмена, володіють провідністю n-типу (концентрація електронів n ~ 1018см – 3). Тверді розчини Hg1 – xMnxS, Hg1 – x – уMnxFеуS та Hg1 – x – уMnxFеуSe1 – zSz є напівпровідниками із змінною в залежності від складу шириною забороненої зони (Eg) і належать до напівмагнітних напівпровідників. Наявність в кристалах атомів Mn із нескомпенсованим магнітним моментом дає можливість контролювати склад (х). На основі досліджень коефіцієнту відбивання визначені показники заломлення і ефективна маса електронів на рівні Фермі для Hg1 – xMnxS, Hg1 – x – уMnxFеуS. Дослідження спектрів пропускання проведено при кімнатній температурі T 300 K. Визначена оптична ширина забороненої зони досліджуваних напівпровідників і встановлені домінуючі механізми розсіювання електронів. Показано, що в досліджуваних кристалах наявні прямі міжзонні оптичні переходи. |
Перелік посилань |