Генерація терагерцових коливань діодами з резонансно-тунельними границями

Автори О.В.Боцула, В.О. Зозуля
Приналежність

Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, пл. Свободи, 61077 Харків, Україна

Е-mail oleg.botsula@karazin.ua
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 6
Дати Одержано 23 червня 2020; у відредагованій формі 17 грудня 2020; опубліковано online 25 грудня 2020
Посилання О.В.Боцула, В.О. Зозуля, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 6, 06037 (2020)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.12(6).06037
PACS Number(s) 85.30.Fg, 73.40.Kp, 73.40. – c
Ключові слова Резонансно-тунельна границя, Негативна диференціальна провідність (3) , Рівень легування (5) , Частотний діапазон (4) , Ефективність генерації (6) .
Анотація

Діоди з резонансно-тунельною границею розглядаються як можливі джерела терагерцового діапазону. Діоди є планарними структурами з двома контактами, що містять провідний канал і активну бічну границю. Бічна границя являє собою двохбар'єрну резонансно-тунельну структуру на основі AlGaAs/GaAs, яка розміщуються між каналом і металевим електродом та електрично з'єднана з омічним контактом аноду. Принцип роботи діодів полягає у поєднанні ефекту міждолинного переносу в каналі та електронного транспорту через бічну границю, що призводить до збільшення частоти коливань та розширення частотного діапазону роботи. Аналіз проводився з використанням багаточастинкового методу Монте-Карло. Визначено ефективність коливань та частотні властивості діода. Показано існування співвідношення між максимальною ефективністю на конкретній частоті та величиною зміщення, що подається на діод. Встановлено, що максимальні значення ефективності генерації при роботі на низьких частотах відповідають великим напругам зміщення, тоді як на високих частотах низьким. Таким чином, існує можливість створення керованого напругою джерела коливань. Досліджено вплив положення резонансно-тунельної границі та величини легування на ефективність генерації діода. Положення активної границі ближче до катодного контакту призводить до зниження ефективності генерації та підвищення частоти. Показано можливість отримання генерації в діапазоні від 50 до 550 ГГц. Максимальна ефективність генерації склала 10 %, що відповідає частоті 110ГГц.

Перелік посилань