| Назва |
Effect of Grain Size on the Threshold Voltage for Double-Gate Polycrystaline Silicon MOSFET |
| Автори |
Mahesh Chandra, Alka Panwar, B.P. Tyag |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3 |
| Сторінки |
0474 - 0478 |
| Назва |
Two Dimensional Analytical Modeling for SOI and SON MOSFET and Their Performance Comparison |
| Автори |
Saptarsi Ghosh, Khomdram Jolson Singh, Sanjay Deb, Subir Kumar Sarkar |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3 |
| Сторінки |
0569 - 0575 |
| Назва |
Two-Dimensional Analytical Modeling of Threshold Voltage of Doped Short-Channel Triple-Material Double-Gate (Tm-Dg) MOSFET's |
| Автори |
Sarvesh Dubey, Dheeraj Gupta, Pramod Kumar Tiwari, S. Jit |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3 |
| Сторінки |
0576 - 0583 |
| Назва |
Strategic Review of Arsenide, Phosphide and Nitride MOSFETs |
| Автори |
Gourab Dutta, Palash Das, Partha Mukherjee, Dhrubes Biswas |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 |
| Сторінки |
0728 - 0740 |
| Назва |
Electrostatics of Silicon Nano Transistor |
| Автори |
Lalit Singh, B.P. Tyag |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 |
| Сторінки |
0808 - 0813 |
| Назва |
A 2-D Analytical Threshold Voltage Model for Symmetric Double Gate MOSFET's Using Green’s Function |
| Автори |
Anoop Garg, S.N. Sinha, R.P. Agarwal |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
| Сторінки |
0894 - 0902 |
| Назва |
Role of Interface Charges on High-k Based Poly-Si and Metal Gate Nano-Scale MOSFETs |
| Автори |
N. Shashank, Vikram Singh, W.R. Taube, R.K. Nahar |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
| Сторінки |
0937 - 0941 |
| Назва |
Performance of a Double Gate Nanoscale MOSFET (DG-MOSFET) Based on Novel Channel Materials |
| Автори |
Rakesh Prasher, Devi Dass, Rakesh Vaid |
| Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 1 |
| Сторінки |
01017-1 - 01017-5 |
| Назва |
Comparison of Atomic Level Simulation Studies of MOSFETs Containing Silica and Lantana Nanooxide Layers |
| Автори |
K. Bikshalu, M.V. Manasa, V.S.K. Reddy, P.C.S. Reddy, K. Venkateswara Rao |
| Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 4 |
| Сторінки |
04058-1 - 04058-3 |
| Назва |
An Analytical Universal Model for Symmetric Double Gate Junctionless Transistors |
| Автори |
N. Bora, P. Das, R. Subadar |
| Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 2 |
| Сторінки |
02003-1 - 02003-4 |
| Назва |
Effects of High-k Dielectrics with Metal Gate for Electrical Characteristics of SOI TRI-GATE FinFET Transistor |
| Автори |
Fatima Zohra Rahou, A.Guen Bouazza, B. Bouazza |
| Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 4 |
| Сторінки |
04037-1 - 04037-4 |
| Назва |
Comparative Analysis of CNTFET and CMOS Logic based Arithmetic Logic Unit |
| Автори |
K. Nehru, T. Nagarjuna, , G. Vijay, |
| Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 4 |
| Сторінки |
04018-1 - 04018-4 |
| Назва |
Simulation and Performance Analysis of 32 nm FinFet based 4-Bit Carry Look Adder |
| Автори |
S. Rashid, S. Khan, A. Singh, |
| Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 5 |
| Сторінки |
05003-1 - 05003-4 |
| Назва |
Analytical Modeling & Simulation of OFF-State Leakage Current for Lightly Doped MOSFETs |
| Автори |
Nitin Sachdeva, Munish Vashishath, P.K. Bansal |
| Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 6 |
| Сторінки |
06009-1 - 06009-4 |
| Назва |
A Graphical Method to Study Electrostatic Potentials of 25 nm Channel Length DG SOI MOSFETs |
| Автори |
M. Djerioui, M. Hebali, D. Chalabi, A. Saidane |
| Випуск |
Том 10, Рік 2018, Номер 4 |
| Сторінки |
04027-1 - 04027-4 |
| Назва |
An Analytical Modeling of Drain Current for Single Material Surrounded Gate Nanoscale SOI MOSFET |
| Автори |
Arjimand Ashraf, Prashant Mani |
| Випуск |
Том 10, Рік 2018, Номер 4 |
| Сторінки |
04012-1 - 04012-5 |
| Назва |
Charge Based Quantization Model for Triple-Gate FINFETS |
| Автори |
P. Vimala |
| Випуск |
Том 10, Рік 2018, Номер 5 |
| Сторінки |
05015-1 - 05015-5 |
| Назва |
Single Electron Transistor Based Current Mirror: Modelling and Performance Characterization |
| Автори |
Ashok.D. Vidhate, Shruti Suman |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 1 |
| Сторінки |
01017-1 - 01017-5 |
| Назва |
Моделювання та імітація польового транзистора MOSFET (з high-k діелектриком) з використанням генетичних алгоритмів |
| Автори |
Abdelkrim Mostefai, Smail Berrah, Hamza Abid |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 6 |
| Сторінки |
06004-1 - 06004-5 |
| Назва |
Аналіз продуктивності GAA MOSFET при кріогенній температурі для субнанометрового режиму |
| Автори |
M. Lakshmana Kumar, Biswajit Jena |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 6 |
| Сторінки |
06034-1 - 06034-4 |
| Назва |
Вплив розмірів пристрою на електричні властивості DG-SOI-MOSFET за допомогою програмного забезпечення Octave |
| Автори |
M. Djerioui, M. Hebali, M. Abboun Abid |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 5 |
| Сторінки |
05025-1 - 05025-4 |
| Назва |
Підвищення продуктивності ведичного множника за допомогою FinFET |
| Автори |
P. Vimala, Soumya G. Hosmani |
| Випуск |
Том 16, Рік 2024, Номер 2 |
| Сторінки |
02002-1 - 02002-5 |
