Назва |
Vacancy Defect Reconstruction and its Effect on Electron Transport in Si-C Nanotubes |
Автори |
S. Choudhary, S. Qureshi |
Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
Сторінки |
1035 - 1040 |
Назва |
Boron Monolayer χ3-type. Formation of the Vacancy Defect and Pinhole |
Автори |
E.V. Boroznina, O.A. Davletova, I.V. Zaporotskova |
Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 4 |
Сторінки |
04054-1 - 04054-3 |
Назва |
DFT Study of Intrinsic and Induced p-type Conductivity of ZnO Material |
Автори |
F. Marcillo, L. Villamagua, A. Stashans |
Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 1 |
Сторінки |
01024-1 - 01024-6 |
Назва |
Research of the Vacancy Migration Process on the Surface of BC Nanolayer |
Автори |
S.V. Boroznin, I.V. Zaporotskova, N.P. Boroznina |
Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 2 |
Сторінки |
02034-1 - 02034-2 |
Назва |
Defects in Graphene Nanoribbons and Flakes: Influence on the Conductivity |
Автори |
N.N. Konobeeva |
Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 5 |
Сторінки |
05049-1 - 05049-3 |
Назва |
Квантово-хімічне моделювання дивакансійних дефектів на поверхні алмазу С(100)-2×1 |
Автори |
О.Ю. Ананьїна, О.С. Яновський |
Випуск |
Том 11, Рік 2019, Номер 3 |
Сторінки |
03001-1 - 03001-6 |