Results (20):

Назва Optical, Electrical and Raman Properties of Annealed Hydrogenated Mg/Co Bilayer Thin Films
Автори M.K. Jangid, S.P. Nehra, M. Singh
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3
Сторінки 0460 - 0468
Назва Effect of Number of Filaments on the Structure, Composition and Electrical Properties of µc-Si:h Layers Deposited Using HWCVD Technique
Автори S.K. Soni, R.O. Dusane
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3
Сторінки 0551 - 0557
Назва Inter-Electrode Separation Induced Amorphous-to-Nanocrystalline Transition of Hydrogenated Silicon Prepared by Capacitively Coupled RF PE-CVD Technique
Автори A.M. Funde, V.S. Waman, M.M. Kamble, M.R. Pramod, V.G. Sathe, S.W. Gosavi, S.R. Jadkar
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4
Сторінки 0651 - 0661
Назва Studies on Metal-Oxide Semiconductor ZnO as a Hydrogen Gas Sensor
Автори C.S. Prajapati, P.P. Sahay
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4
Сторінки 0714 - 0720
Назва Designing Single Chamber Hwcvd System for High Deposition Rate Device Quality A-Si:h Thin Films and Solar Cells
Автори N.A. Wadibhasme, S.K. Soni, Alka Kumbhar, Nagsen Meshram, R.O. Dusane
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5
Сторінки 0942 - 0946
Назва Simultaneous Effects of Hydrostatic Pressure and Geometry on Metal-Insulator Transition in a Cubical Quantum Dot
Автори S. Rajashabala, R. Kannan
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5
Сторінки 1041 - 1047
Назва Helium Induced Structural Disorder in Hydrogenated Nanocrystalline Silicon (nc-Si:H) Thin Films Prepared by HW-CVD Method
Автори Nabeel A. Bakr
Випуск Том 4, Рік 2012, Номер 3
Сторінки 03006-1 - 03006-7
Назва Plasmon Resonance in A-С : Н Films Modified with Platinum Nanoclusters
Автори O. Prikhodko, N. Manabaev, N. Guseinov, S. Maksimova, E. Muhametkarimov, S. Mikhailova, E. Daineko
Випуск Том 6, Рік 2014, Номер 3
Сторінки 03067-1 - 03067-3
Назва Tunnel Effect in Widezone Crystals with Proton Conductivity
Автори V.M. Timokhin
Випуск Том 6, Рік 2014, Номер 3
Сторінки 03048-1 - 03048-3
Назва Deformed Quantum Energy Spectra with Mixed Harmonic Potential for Nonrelativistic Schrödinger Equation
Автори Abdelmadjid Maireche
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 2
Сторінки 02003-1 - 02003-6
Назва A Recent Study of Quantum Atomic Spectrum of the Lowest Excitations for Schrödinger Equation with Typical Rational Spherical Potential at Planck's and Nanoscales
Автори Abdelmadjid Maireche
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 3
Сторінки 03047-1 - 03047-7
Назва Hydrogenation of Laser-crystallized a-Si:H Films
Автори M.V. Khenkin, D.V. Amasev, A.G. Kazanskii, P.A. Forsh
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 3
Сторінки 03048-1 - 03048-6
Назва Structure and Charge States of the Selected Hydrogenated Silicon Clusters Si2-Si8 by Non-Conventional Tight-Binding Method
Автори A.P. Mukhtarov, A.B. Normurodov, N.T. Sulaymonov, F.T. Umarova, Sh. Makhkamov
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 2
Сторінки 02009-1 - 02009-8
Назва Femtosecond Laser Crystallization of Boron-doped Amorphous Hydrogenated Silicon Films
Автори P.D. Rybalko, M.V. Khenkin, P.A. Forsh, R. Drevinskas, A.N. Matsukatova, P. Kazansky, A.G. Kazanskii
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 3
Сторінки 03038-1 - 03038-3
Назва A DFT Study of Hydrogen Adsorption onto Graphene: Effect of Nitrogen Doping
Автори I.K. Petrushenko
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 3
Сторінки 03018-1 - 03018-5
Назва Performance of p-i-n Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film Solar Cells Device
Автори H. Yanuar, U. Lazuardi
Випуск Том 10, Рік 2018, Номер 2
Сторінки 02045-1 - 02045-3
Назва Квантово-хімічне моделювання дивакансійних дефектів на поверхні алмазу С(100)-2×1
Автори О.Ю. Ананьїна, О.С. Яновський
Випуск Том 11, Рік 2019, Номер 3
Сторінки 03001-1 - 03001-6
Назва Influence of Ferroelastic Phase Transitions on the Spatial Distribution of Point Defects in Real Solids
Автори Anna Kosogor
Випуск Том 10, Рік 2018, Номер 3
Сторінки 03031-1 - 03031-5
Назва Kinetics of Blue Emission during Ultraviolet Insolation on Germanosilicate Optical Fiber
Автори H. Kuswanto, F. Goutaland, A. Boukenter, Y. Ouerdane
Випуск Том 10, Рік 2018, Номер 4
Сторінки 04005-1 - 04005-5
Назва Defect Pool Numerical Model in Amorphous Semiconductor Device Modeling Program
Автори M. Rahmouni, S. Belarbi
Випуск Том 11, Рік 2019, Номер 2
Сторінки 02008-1 - 02008-5