| Назва |
Properties of Silicon Dioxide Films Prepared Using Silane and Oxygen Feeds by PE-CVD at low Power Plasma |
| Автори |
S.P. Gore, A.M. Funde, T.S. Salve, T.M. Bhave, S.R. Jadkar, S.V. Ghaisas |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 2 |
| Сторінки |
0370 - 0375 |
| Назва |
Pt-Ti/ALD-Al2O3/p-Si MOS Capacitors for Future ULSI Technology |
| Автори |
Ashok M. Mahajan, Anil G. Khairnar, Brian J. Thibeault |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 4 |
| Сторінки |
0647 - 0650 |
| Назва |
Thermal Annealing Behaviour on Electrical Properties of Pd/Ru Schottky Contacts on n-Type GaN |
| Автори |
N. Nanda Kumar Reddy, V. Rajagopal Reddy |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
| Сторінки |
0921 - 0925 |
| Назва |
High-k HfO2 Based Metal-Oxide-Semiconductor Devices Using Silicon and Silicon Carbide Semiconductor |
| Автори |
N.P. Maity, A. Pandey, S. Chakraborty, M. Roy |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
| Сторінки |
0947 - 0955 |
| Назва |
Barrier Inhomogeneities of Al/p-In2Te3 Thin Film Schottky Diodes |
| Автори |
R.R. Desai, D. Lakshminarayana, Ramesh Sachdeva, P.B. Patel, C.J. Panchal, M.S. Desai, N. Padha |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
| Сторінки |
0995 - 1004 |
| Назва |
Electrical Transport Characteristics of Pd/V/N-InP Schottky Diode From I-V-T and C-V-T Measurements |
| Автори |
S. Sankar Naik, V. Rajagopal Reddy |
| Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 5 |
| Сторінки |
1048 - 1055 |
| Назва |
Fabrication and Characterization of Al/p-CuInAlSe2 Thin Film Schottky Diodes |
| Автори |
Usha Parihar, N. Padha, C.J. Panchal |
| Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 2 |
| Сторінки |
02015-1 - 02015-5 |
| Назва |
AC Impedance Analysis of the Al/ZnO/p-Si/Al Schottky Diode: C-V Plots and Extraction of Parameters |
| Автори |
M. Benhaliliba, Y.S. Ocak, H. Mokhtari, T. Kiliçoglu |
| Випуск |
Том 7, Рік 2015, Номер 2 |
| Сторінки |
02001-1 - 02001-4 |
| Назва |
Квантово-хімічне моделювання дивакансійних дефектів на поверхні алмазу С(100)-2×1 |
| Автори |
О.Ю. Ананьїна, О.С. Яновський |
| Випуск |
Том 11, Рік 2019, Номер 3 |
| Сторінки |
03001-1 - 03001-6 |
| Назва |
Charge Based Quantization Model for Triple-Gate FINFETS |
| Автори |
P. Vimala |
| Випуск |
Том 10, Рік 2018, Номер 5 |
| Сторінки |
05015-1 - 05015-5 |
