Назва | Вплив типу аніона електролиту на морфологию поруватого InP, отриманого методом електролітичного травлення електрохімічного травлення | |
Автори | Я.О. Сичікова, В.В. Кідалов, Г.О. Сукач | |
Випуск | Том 1, Рік 2009, Номер 4 | |
Сторінки | 078 - 086 |
Назва | Числове моделювання параметрів FinFET транзисторів | |
Автори | І.П. Бурик, А.О. Головня, М.М. Іващенко, Л.В. Однодворець | |
Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 3 | |
Сторінки | 03005-1 - 03005-4 |
Назва | Вплив діелектрика ZrO2 на характеристики постійного струму і пригнічення витоку в транзисторі DH MOS-HEMT на основі AlGaN/InGaN/GaN | |
Автори | V. Sandeep, J. Charles Pravin | |
Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 4 | |
Сторінки | 04007-1 - 04007-5 |
Назва | Аналітична модель ширини збідненої зони та порогової напруги безперехідного польового транзистора з паралельним затвором | |
Автори | A.K. Raibaruah, K.C.D. Sarma | |
Випуск | Том 14, Рік 2022, Номер 4 | |
Сторінки | 04005-1 - 04005-5 |