| Назва |
Числове моделювання параметрів FinFET транзисторів |
| Автори |
І.П. Бурик, А.О. Головня, М.М. Іващенко, Л.В. Однодворець |
| Випуск |
Том 12, Рік 2020, Номер 3 |
| Сторінки |
03005-1 - 03005-4 |
| Назва |
Числове моделювання параметрів польових транзисторів GAA SiNWFET на основі нанодротів |
| Автори |
І.П. Бурик, М.М. Іващенко, А.О. Головня, Л.В. Однодворець |
| Випуск |
Том 12, Рік 2020, Номер 6 |
| Сторінки |
06012-1 - 06012-4 |
| Назва |
Оцінка виготовлення пристроїв від FET до CFET: огляд |
| Автори |
J. Lakshmi Prasanna, M. Ravi Kumar, Ch. Priyanka, Chella Santhosh |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 6 |
| Сторінки |
06030-1 - 06030-8 |
| Назва |
Ефект зміни каналу для довгоканального GaAs GAA транзистора без переходів |
| Автори |
M. Faidzal Rasol, Ainun T., Fatimah H., Zaharah J., Mastura S.Z.A., Rashidah A., Munawar A. Riyadi |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Сторінки |
02010-1 - 02010-5 |
| Назва |
Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET |
| Автори |
Payal Kumari, Swagat Nanda, Priyanka Saha, Rudra Sankar Dhar |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Сторінки |
02004-1 - 02004-4 |
