Автори | О.О.Соловйова |
Афіліація | Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007, Суми, Україна |
Е-mail | |
Випуск | Том 2, Рік 2010, Номер 3 |
Дати | Одержано 03.09.2010, у відредагованій формі - 28.10.2010 |
Цитування | О.О.Соловйова, Ж. нано- електрон. фіз. 2 №3, 103 (2010) |
DOI | |
PACS Number(s) | 64.75. Nx |
Ключові слова | Оксид iндiю (2) , Диоксид гафнiю, Твердий розчин (27) , Фазовий перехiд. |
Анотація |
На основі математичних моделей утворення твердих розчинів у системі In2O3- HfО2 проведені розрахунки іонних радіусів катіонів індію, гафнію, аніону та аніонних вакансій з шкали Темплтона та Добена. Розкрито фазове перетворення в оксиду індію, яке зв’язане з порушенням порядку аніонних вакансій у решітці типу С. Утворення твердих розчинів в даній системі протікає на основі фази типа С1 оксиду індію з порушеним порядком аніонних вакансій. Обмежені тверді розчини типу: віднімання –заміщення, віднімання – заміщення – упровадження, які утворюються в процесі спікання зразків при 1450 °С, 1600 °С у середовищі повітря. Тип твердого розчину у системі In2O3- HfО2 залежить від розміру катіонів індію та гафнію. Були визначені енергії утворення твердих розчинів у системі. Виявлено, що електропровідність, концентрація та рухливість зарядів залежить від типу твердого розчину, а не від валентності катіонів розчиненої домішки. |
Перелік посилань |