Electrical Characterization of TiO2 Insulator Based Pd / TiO2 / Si MIS Structure Deposited by Sol-Gel Process
| Автори | Kumar Shubham, R.U. Khan |
| Приналежність | Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (Banaras Hindu University), 221005 Varanasi, India |
| Е-mail | kshubham.rs.ece@itbhu.ac.in |
| Випуск | Том 5, Рік 2013, Номер 1 |
| Дати | Одержано 01.01.2013, опубліковано online - 28.03.2013 |
| Посилання | Kumar Shubham, R.U. Khan, J. Nano- Electron. Phys. 5 No 1, 01021 (2013) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 68.35. bt, 68,55. aj, 73.61. Ng |
| Ключові слова | TiO2 (17) , Thin film (101) , Sol-Gel (17) , MIS structure. |
| Анотація | Electrical characterization of a Pd / TiO2 / Si MIS structure has been reported in this paper. The TiO2 layer has been deposited on n-Si substrate by spin coating sol-gel process using Titanium Tetraisopropoxide [Ti(OC3H7)4]. The current-voltage and capacitance-voltage characteristics were studied at room temperature (300 K) by applying the dc bias gate voltage swept from – 3 to 3 V for the frequency range of 50 kHz to 1 MHz. The study reveals that the capacitance in the accumulation region has frequency dispersion in high frequencies (> 10 kHz) which is attributed to leakage behavior of TiO2 insulating layer, interface states and oxide defects. Different models of current conduction mechanism have been applied to study the measured data. It is found that Schottky-Richardson (SR) emission model is applicable at low bias voltage, Frenkel-Poole (FP) emission model at moderate bias voltages while Fowler-Nordheim (FN) tunneling dominates at higher bias voltages. TiO2 based MIS devices having high dielectric constant and good interface quality with Si substrate are expected to play a major role in microelectronic applications. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Reduced Polarizability and Local-Field Effect in Self-Assembled Ensemble of Nanoparticles [01001-1-01001-5]2) Hydration-Induced Local Molecular Structures in Nano-Layered Clay Particles [01002-1-01002-3]
3) New Way of As2S3 Microtubules Preparation by Roll Up Thin Films Synthesized at the Air-Solution Interface [01003-1-01003-3]
4) Spectroscopically Detected Formation of Oxygen Vacancies in Nano-Crystalline CeO2 – x [01004-1-01004-4]
5) A Comparative Study of the Oxidation and Wet Chemical Methods for Uncapping the Multi-Walled Carbon Nanotubes [01005-1-01005-3]
6) Cotton Textile Surface Investigation Before and After Deposition of the ZnO Coating by Sol-gel Method [01006-1-01006-5]
7) Люмінесцентні властивості активованих Ce3 + тербій-алюмінієвих гранатів, синтезованих з використанням наноструктурованих реагентів [01007-1-01007-4]
8) Використання нанокомпозитних покриттів з різними фізико-хімічними характеристиками в тканинній інженерії [01008-1-01008-5]
9) Structural Properties of ZnO Thin Films Obtained by Chemical Bath Deposition Technique [01009-1-01009-4]
10) Design of Broadband Optical Interference Filters Based on Six-Layer Period [01010-1-01010-3]
11) Comparing the Ranking of Cobalt Coating Microstructures, Produced by Direct Current through Experimental Studies and the Analytic Hierarchy Process [01011-1-01011-5]
12) Вплив електричного поля на електронні властивості заміщених молекул дифенілу [01012-1-01012-4]
13) Molecular Dynamics Simulation of Cross-Linked Epoxy Polymers: the Effect of Force Field on the Estimation of Properties [01013-1-01013-5]
14) Фазовий склад та магніторезистивні властивості плівкових систем на основі Феруму і Ванадію або Нікелю і Ванадію [01014-1-01014-6]
15) Фокусування іонних пучків діелектричними мікро- і нанокапіллярнимі структурами [01015-1-01015-5]
16) Високодозова іонна імплантація в NiTi для поліпшення ефекту пам'яті форми та псевдопластичності [01016-1-01016-8]
17) Performance of a Double Gate Nanoscale MOSFET (DG-MOSFET) Based on Novel Channel Materials [01017-1-01017-5]
18) Вивчення впорядкованих структур і фазових переходів субкарбіда ванадіюметодом дифракції нейтронів [01018-1-01018-4]
19) Study of Photoluminescence Behaviour of Porous Silicon Samples Prepared at 20 mA Current Density [01019-1-01019-3]
20) Optical Dispersion In Annealed Thin Films of S-doped a-Si:H Alloys [01020-1-01020-2]
21) Effect of Co Doping on Structural and Magnetic Properties of ZnO Nanoparticles Synthesized by Novel Combustion Synthesis [01022-1-01022-3]
22) Наноелектроніка: виникнення струму, нове формулювання закону Ома і моди провідності в концепції «знизу-вгору» [01023-1-01023-15]
23) Нанокомпозити альфа-Fe2O3 / гама-Fe2O3: синтез, кристалічна та магнітна мікроструктури, морфологія [01024-1-01024-8]
24) Перетворення в субмоношарових покриттях хрому та титану на поверхні Sі (001) [01025-1-01025-4]
25) Нелінійні процеси в магнітних наноточках при перпендикулярній накачці: мікромагнітне моделювання [01026-1-01026-4]
26) Вивчення структурних та електронних властивостей кластерів ZnO методом теорії функціонала густини [01027-1-01027-6]
27) Кінетики росту згустків Ag, створених лазерним світлом різних довжин хвиль на мікрокристалах AgBr [01028-1-01028-5]
28) Електрофізичні властивості нанокристалічних плівок платини [01029-1-01029-5]
29) Формування прецизійного пучка протонів у зондовій системі з індивідуальними джерелами живлення магнітних квадрупольних лінз (результати експерименту) [01030-1-01030-5]
