Магніто-деформаційний ефект в двошарових плівкових системах
| Автори | З.М. Макуха , С.І. Проценко , Л.В. Однодворець , І.Ю. Проценко |
| Приналежність | Сумський державний університет, 2, вул. Римського-Корсакова, Суми, 40007, Україна |
| Е-mail | protsenko@aph.sumdu.edu.ua |
| Випуск | Том 4, Рік 2012, Номер 2 |
| Дати | Одержано 17.04.2012, у відредагованій формі - 23.05.2012, опубліковано online 04.06.2012 |
| Посилання | З.М. Макуха, С.І. Проценко, Л.В. Однодворець, І.Ю. Проценко, Ж. нано- електрон. фіз. 4 № 2, 02043 (2012) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 6.25 Hf, 75.80.+q |
| Ключові слова | коефіцієнт поздовжньої тензочутливості (2) , магніто-деформаційний ефект, магнітний коефіцієнт опору, магнітний коефіцієнт коефіцієнта тензочутливості. |
| Анотація | Вперше представлені результати теоретичних досліджень магніто-деформаційного ефекту (МДЕ) в двошарових плівкових матеріалах з урахуванням попередніх результатів, отриманих для одношарових плівок. При створенні елементарної теорії отримані співвідношення для коефіцієнта поздовжньої тензочутливості (КТ, ) для двошарової плівкової системи типу "біпластина", без урахування можливих процесів взаємної дифузії атомів. Кількісною характеристикою МДЕ є магнітний коефіцієнт КТ, який дорівнює B (1/)(/B), яка описує зміну електричного опору плівки при її деформації в зовнішньому магнітному полі. В кінцеве співвідношення для МДЕ входять величини R, (питомий опір), B (магнітний коефіцієнт питомого опору) та друга похідна по деформації і магнітому полю. Остання величина не розраховується, а вимірюється експериментально. Аналіз співвідношення для граничних випадків для B, коли d1 >> d2 і d1 << d2, дозволяє розрахувати величину КТ при певних значеннях магнітного поля. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Numerical Simulation of Intensity Fluctuations in Random Laser Systems [02001-1-02001-5]2) High Second-Order Nonlinear Susceptibility Induced in GaN/AlxGa1 – xN Coupled Quantum Well for Infrared Photodectors Application [02002-1-02002-3]
3) Фильтрація об’ємних спінових хвиль на межі двох одновісних феромагнітних середовищ [02003-1-02003-3]
4) Design and Implementation of a Hybrid SET-CMOS Based Sequential Circuits [02004-1-02004-5]
5) Overview of Bottom-up Nano Electronics Materials and Its Application [02005-1-02005-8]
6) Electrical Transport Characteristics and Deep Level Transient Spectroscopy of Ni/V/n-InP Schottky Barrier Diodes [02006-1-02006-9]
7) Nanostructure Zinc Oxide with Cobalt Dopant by PLD for Gas Sensor Applications [02007-1-02007-6]
8) Superconducting State Parameters of Binary Superconductors [02008-1-02008-7]
9) Prospects of III-Vs for Logic Applications [02009-1-02009-5]
10) The Role of Interactions in Systems of Single Domain Ferrimagnetic Iron Oxide Nanoparticles [02010-1-02010-7]
11) Еволюція процесів росту парафазних наноструктур телуриду свинцю [02011-1-02011-5]
12) Структура і електричні властивості тонких плівок чистого і легованого вісмутом телуриду свинцю [02012-1-02012-5]
13) Бездифузійна «рекристалізація» за великої одноосьової деформації [02013-1-02013-5]
14) Магніторезистивний ефект та магнітні параметри нанокристалічних плівок на основі Co, Fe, Ag та Cu [02014-1-02014-6]
15) Активні ЛВЕ-клістрони як формувачі фемтосекундних кластерів електромагнітного поля. Системи на основі двопотокової нестійкості [02015-1-02015-7]
16) Аналіз можливостей використання потенціалу міжатомної взаємодії для моделювання механічних та теплових властивостей речовини [02016-1-02016-4]
17) Квазірівноважні процеси в високозбуджених молекулах резазурину [02017-1-02017-7]
18) Зміна електрохімічних параметрів та провідних властивостей комірки з катодом на основі MgF2 у процесі циклювання [02018-1-02018-6]
19) Осциляції термоелектричних параметрів наноструктур PbTe:Bi на ситалі [02019-1-02019-6]
20) Одержання і властивості гібридних колоїдних наночастинок Au-CdSe [02020-1-02020-3]
21) Quantum Confinement in Cadmium Selenide Multilayer Thin Films Using Physical Vapour Deposition Method [02021-1-02021-3]
22) Fabrication of Low-Roughness Au/Ti/ SiO2/Si Substrates for Nanopatterning of 16-Mercapto Hexadecanoic Acid (MHA) by Dip-Pen-Nanolithography [02022-1-02022-4]
23) Analytical Modeling of SON MOSFET and Realization Inverter Circuit for High Speed and Ultra Dense Low Power Circuits [02023-1-02023-5]
24) Effect of Impurity Concentration on the Depth Profile of the Electric Field within Monolayer Thin Film [02024-1-02024-4]
25) Static and Vibrational Properties of Equiatomic Cesium-Alkali Binary Alloys [02025-1-02025-6]
26) Вплив спектральних характеристик корелюючих шумів на поведінку стохастичної системи [02026-1-02026-7]
27) Кореляційні ефекти в біологічних мережах [02027-1-02027-4]
28) Одностороннє проходження при розповсюдженні хвилі уздовж границі розділу анізотропних середовищ [02028-1-02028-4]
29) До питання про механізми світіння поверхні металу при бомбардуванні його інтенсивним потоком електронів [02029-1-02029-4]
30) Електрохемілюмінесцентні властивості органічних плівок з введеними вуглецевими нанотрубками [02030-1-02030-4]
31) Методика визначення коефіцієнта пружності міжатомного зв’язку на основі експериментальної кривої навантаження [02031-1-02031-4]
32) Ефект втягування для тангенціального напрямку осі анізотропії в анізотропному середовищі [02032-1-02032-6]
33) Застосування волоконо-оптичних датчиків для визначення розмірів наночастинок у хімічних реакторах [02033-1-02033-4]
34) Структурні властивості стопів Zr – 12.5 % Nb та Zr – 25 % Nb з ГПУ та ОЦК ґратками: моделювання з перших принципів [02034-1-02034-6]
35) Методика розрахунку теплоємності кристалічної решітки твердого тіла з використанням потенціалу міжатомної взаємодії [02035-1-02035-3]
36) Особливості формування шарів пористого кремнію модифікованих НСl і HBr в контексті оптичних властивостей [02036-1-02036-4]
37) Активні ЛВЕ-клістрони як формувачі фемтосекундних кластерів електромагнітного поля. Нелінійна фізика прольотної секції [02037-1-02037-7]
38) Програмно-апаратний комплекс досліджень оптичних властивостей тонких плівок [02038-1-02038-6]
39) Нанокристали золота як підкладка для мікрораманівської спектроскопії [02039-1-02039-8]
40) Реалізація неоднорідного магнітного поля призмового мас-аналізатора [02040-1-02040-3]
41) Кількісне визначення контрасту електронно-мікроскопічних зображень аморфних наноматеріалів складного хімічного складу [02041-1-02041-5]
42) Топологія поверхні шаруватих кристалів p-InSe і n-SnS2-xSex (0 ≤ x ≤ 1) та гетеропереходи на їх основі [02042-1-02042-4]
