Оптичні характеристики тонких плівок SnO2 як сонячних елементів, досліджених методом кутової спектроскопічної еліпсометрії

Автори A. Bounegab1,2, M. Boulesbaa1,2
Приналежність

1Electronic and Telecommunications Department, University Kasdi Merbah of Ouargla 30000 Ouargla, Algeria

2L.R.P.P.S. Laboratory, University Kasdi Merbah of Ouargla, 30000 Ouargla, Algeria

Е-mail bounegab.abdelhamid@univ-ouargla.dz
Випуск Том 15, Рік 2023, Номер 3
Дати Одержано 15 березня 2023; у відредагованій формі 26 червня 2023; опубліковано online 30 червня 2023
Посилання A. Bounegab, M. Boulesbaa, Ж. нано- електрон. фіз. 15 № 3, 03034 (2023)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.15(3).03034
PACS Number(s) 78.66. – w, 81.15.Rs, 07.60.Fs
Ключові слова Тонка плівка SnO2, Спрей-пироліз, Спектроскопічна еліпсометрія, Оптичні коефіцієнти (2) .
Анотація

У даній роботі методом розпилювального піролізу отримано наноструктуру ТСО в тонкій плівці оксиду олова. Різні параметри осадження були встановлені та оптимізовані для приготування вихідного розчину з дигідрату хлориду олова, нанесеного на очищену скляну підкладку. Була досягнута характеристика тонкого шару чистого оксиду олова, нанесеного методом конденсації. Методом рентгенівської дифрактометрії показано, що плівка оксиду олова полікристалічна з тетрагональною структурою, яка складається в основному з орієнтацій (101), (211) та інших менш інтенсивних. Ультрафіолетова спектроскопія підтвердила високу прозорість тонкого шару чистого SnO2 з пропусканням 95 % при 600 нм. Величина оптичної щілини осадженого зразка дорівнює 3,95 еВ. Спектроскопічні еліпсометричні вимірювання параметрів Psi і delta були проведені під різними кутами падіння 65°, 70° і 75°. Оптичну постійну шару SnO2 було змодельовано за допомогою B-сплайнової моделі. Достовірність еліпсометричного підгонки визначена при куті падіння 75°, що вказує на мінімальний MSE, рівний 4,022. Результати SE характеристики тонкої плівки SnO2 на скляній підкладці показали, що товщина шару, показник заломлення та коефіцієнт екстинкції дорівнюють 219,78 нм, 1,41 та 0,123 відповідно. Отримані структурні та оптичні параметри підтвердили, що утворився тонкий шар SnO2. Цей шар продемонстрував широку смугу пропускання та високу прозорість типу напівпровідника TCO, який можна використовувати як антибліковий шар в сонячних елементах.

Перелік посилань