Електричні властивості тонких плівок Cu2ZnSnSe4 і Cu2ZnSnSe2Te2 (S2) отриманих методом термовакуумного напилення

Автори І.П. Козярський, Е.В. Майструк , Д.П. Козярський, П.Д. Мар’янчук
Приналежність

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, 58012 Чернівці, Україна

Е-mail i.koziarskyi@chnu.edu.ua
Випуск Том 10, Рік 2018, Номер 1
Дати Одержано 15.09.2017, у відредагованій формі – 27.10.2017, опубліковано online 24.02.2018
Посилання І.П. Козярський, Е.В. Майструк, Д.П. Козярський, П.Д. Мар’янчук, Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 1, 01028 (2018)
DOI 10.21272/jnep.10(1).01028
PACS Number(s) 73.61.Le, 81.15.Ef
Ключові слова Тонкі плівки (65) , CZTS (14) , Питомий опір (15) , Термовакуумне напилення.
Анотація

Представлено технологічні особливості синтезу і вирощування об’ємних кристалів Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2 і Cu2ZnSnSe2Te2. Отримано полікристалічні злитки довжиною до 50 мм та діаметром до 10 мм. Методом термовакуумного напилення отримано тонкі плівки Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnSe2S2 і Cu2ZnSnSe2Te2. Чотиризондовим методом визначено значення питомого опору отриманих плівок.

Перелік посилань