Equivalent Circuit of Betavoltaic Structure on Silicon pn Diode
| Автори | Yuri S. Nagornov |
| Приналежність |
Department of Physics, University of Tokyo, Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-0033, Japan |
| Е-mail | Nagornov.Yuri@gmail.com |
| Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 1 |
| Дати | Received 18 July 2017; revised manuscript received 27 October 2017; published online 24 February 2018 |
| Посилання | Yuri S. Nagornov, J. Nano- Electron. Phys. 10 No 1, 01027 (2018) |
| DOI | 10.21272/jnep.10(1).01027 |
| PACS Number(s) | 88.05.Bc, 72.20.Jv |
| Ключові слова | Charge carriers, Betavoltaic structure, Silicon diode, Equivalent circuit, Betavoltaics effect. |
| Анотація |
The equivalent circuit of betavoltaics silicon pn diode is proposed. The circuit includes the current source from betavoltaics effect, ideal pn diode, shunt and series resistances, and also barrier capacity with charge on it. The model allows to explain that increasing of charge on the surface silicon pn diode must decrease the effectiveness of energy conversion. As example, we showed that the open circuit voltage is decreased during irradiation time from beta source Ni-63 and it rapidly becomes higher after discharging. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Effect of Sintering Temperature on Structural Properties of Cd doped Co-Zn Ferrite [01001-1-01001-4]2) Thermodynamical Investigation of Liquid Alkali Metals with Gibbs-Bogoliubov Method [01002-1-01002-4]
3) Effect of Source Solution Components on Quality of Electrospun PVDF Nanofibers for Nanogenerator Application [01003-1-01003-6]
4) Structural and Optical Properties ZnO Nanorods Prepared by Hydrothermal Method [01004-1-01004-4]
5) Modeling the Effects of Temperature and Doping Density on the Performance of Mid-infrared Quantum Cascade Lasers [01005-1-01005-5]
6) One Pot Room Temperature Synthesis of CTAB Capped Highly Luminescent CdTe Quantum Dots in an Aqueous Medium and their Free Radical Scavenging Activity [01006-1-01006-5]
7) Films CdS Grown on Porous Si Substrate [01007-1-01007-4]
8) Realization and Characterization of P-typed Polythiophene Based Organic Photovoltaic Cells [01008-1-01008-5]
9) Miniaturized CPW-Fed Planar Monopole Antenna for Multi-band WLAN/WiMAX Wireless Applications [01009-1-01009-9]
10) The Influence of Layers Thickness on the Structure and Properties of Bilayer Multiperiod Coatings Based on Chromium Nitride and Nitrides of Transition Metals Ti and Mo [01010-1-01010-6]
11) Тензорезистивні властивості плівкових наноструктур на основі пермалою та срібла [01011-1-01011-4]
12) Complex Elastic, Dielectric and Piezoelectric Parameters of Lead-free Ferroelectric Ceramics [01012-1-01012-4]
13) Теплові властивості твердих розчинів заміщення InxTl1-xI [01013-1-01013-4]
14) Модель нуклеації нанометрової структури адатомів при дії всебічного тиску [01014-1-01014-6]
15) Фотолюмінесценція гібридних структур поруватий кремній – марганцехлорид тетраметиламонію [01015-1-01015-5]
16) Amplitude-time Characteristics of Switching in Thin Films of Cadmium Telluride [01016-1-01016-5]
17) Функціоналізація поверхні кремнію самоорганізованими германієвими структурами [01017-1-01017-4]
18) Оптичні властивості поверхневих метал-діелектричних композитів на основі пористих Si та SiO2 [01018-1-01018-8]
19) Визначення силових констант сигналів акустичної емісії в рівняннях руху моделі складної структури суцільного середовища [01019-1-01019-6]
20) Фотоелектричні властивості нанокомпозитних іонотронних структур, сформованих на основі 2D шаруватого напівпровідника InSe та іонної солі RbNO3 [01020-1-01020-7]
21) Особливості структурно-морфологічних змін наносистем на основі конденсатів Zn при їх окисленні в атмосфері повітря [01021-1-01021-5]
22) Дальнодіюча взаємодія між домішковими атомами бору і поверхневими обірваними зв’язками в поруватому кремнії: квантовохімічне моделювання [01022-1-01022-5]
23) Зростання острівцевих плівок під час конденсації за механізмом пара - рідина [01023-1-01023-7]
24) Енергетичний спектр системи локалізованих дворівневих квазічастинок, які взаємо-діють з поляризаційними фононами при кріогенних температурах [01024-1-01024-6]
25) Ідентифікація плазмонно-резонансних характеристик тонких металевих плівок [01025-1-01025-5]
26) Елемент пам’яті на основі молекули пероксиду [01026-1-01026-6]
27) Електричні властивості тонких плівок Cu2ZnSnSe4 і Cu2ZnSnSe2Te2 (S2) отриманих методом термовакуумного напилення [01028-1-01028-3]
28) Персоналії - Суходуб Леонід Федорович [01029-1-01029-2]
