Фотоелектричні властивості нанокомпозитних іонотронних структур, сформованих на основі 2D шаруватого напівпровідника InSe та іонної солі RbNO3
| Автори | А.П. Бахтінов1, , В.М. Водоп’янов1 , В.І. Іванов1 , З.Д. Ковалюк1 , І.Г. Ткачук1 , В.В. Нетяга1 , О.С. Литвин2 , 3 |
| Приналежність |
1 Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАНУ, Чернівецьке відділення, вул. І. Вільде, 5, 58001 Чернівці, Україна 2 Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ, просп. Науки, 41, 03028 Київ, Україна 3 Київський університет ім. Бориса Грінченка, вул. Бульварно-Кудрявська, 18/2, 04053 Київ, Україна |
| Е-mail | chimsp@ukrpost.ua |
| Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 1 |
| Дати | Одержано 20.10.2017, у відредагованій формі – 02.11.2017, опубліковано online 24.02.2018 |
| Посилання | А.П. Бахтінов, В.М. Водоп’янов та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 1, 01020 (2018) |
| DOI | 10.21272/jnep.10(1).01020 |
| PACS Number(s) | 81.05.Hd, 81.07. – b |
| Ключові слова | Нанокомпозит (35) , 2D матеріал (2) , Наноструктури (22) , Індій селен, Галій селен. |
| Анотація |
В даній роботі вперше досліджено зв'язок між морфологією, хімічним складом і фотоелектричними властивостями вертикальних іонотронних наноструктур, сформованих на основі шаруватого напівпровідника InSe та іонної солі RbNO3. Встановлено, що максимальну фоточутливість мають наноструктури, які складаються з 2D шарів InSe, ультратонких шарів оксиду In2O3 і кільцевих наноструктур іонної солі, які розташовані в площинах (0001) кристалу InSe періодично вздовж його кристалічної вісі С. Встановлений зв'язок між морфологією гетерограниць і спектральним розподілом фотопровідності для іонотронних наноструктур, сформованих на основі кристалів GaSe і InSe і іонних солей MeNO3 (Me = K, Rb). Досліджено імпедансні спектри, спектральний розподіл фоточутливості та морфологію поверхонь вертикальних іонотронних структур, сформованих на основі 2D шаруватого напівпровідника n-InSe та іонної солі RbNO3. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Effect of Sintering Temperature on Structural Properties of Cd doped Co-Zn Ferrite [01001-1-01001-4]2) Thermodynamical Investigation of Liquid Alkali Metals with Gibbs-Bogoliubov Method [01002-1-01002-4]
3) Effect of Source Solution Components on Quality of Electrospun PVDF Nanofibers for Nanogenerator Application [01003-1-01003-6]
4) Structural and Optical Properties ZnO Nanorods Prepared by Hydrothermal Method [01004-1-01004-4]
5) Modeling the Effects of Temperature and Doping Density on the Performance of Mid-infrared Quantum Cascade Lasers [01005-1-01005-5]
6) One Pot Room Temperature Synthesis of CTAB Capped Highly Luminescent CdTe Quantum Dots in an Aqueous Medium and their Free Radical Scavenging Activity [01006-1-01006-5]
7) Films CdS Grown on Porous Si Substrate [01007-1-01007-4]
8) Realization and Characterization of P-typed Polythiophene Based Organic Photovoltaic Cells [01008-1-01008-5]
9) Miniaturized CPW-Fed Planar Monopole Antenna for Multi-band WLAN/WiMAX Wireless Applications [01009-1-01009-9]
10) The Influence of Layers Thickness on the Structure and Properties of Bilayer Multiperiod Coatings Based on Chromium Nitride and Nitrides of Transition Metals Ti and Mo [01010-1-01010-6]
11) Тензорезистивні властивості плівкових наноструктур на основі пермалою та срібла [01011-1-01011-4]
12) Complex Elastic, Dielectric and Piezoelectric Parameters of Lead-free Ferroelectric Ceramics [01012-1-01012-4]
13) Теплові властивості твердих розчинів заміщення InxTl1-xI [01013-1-01013-4]
14) Модель нуклеації нанометрової структури адатомів при дії всебічного тиску [01014-1-01014-6]
15) Фотолюмінесценція гібридних структур поруватий кремній – марганцехлорид тетраметиламонію [01015-1-01015-5]
16) Amplitude-time Characteristics of Switching in Thin Films of Cadmium Telluride [01016-1-01016-5]
17) Функціоналізація поверхні кремнію самоорганізованими германієвими структурами [01017-1-01017-4]
18) Оптичні властивості поверхневих метал-діелектричних композитів на основі пористих Si та SiO2 [01018-1-01018-8]
19) Визначення силових констант сигналів акустичної емісії в рівняннях руху моделі складної структури суцільного середовища [01019-1-01019-6]
20) Особливості структурно-морфологічних змін наносистем на основі конденсатів Zn при їх окисленні в атмосфері повітря [01021-1-01021-5]
21) Дальнодіюча взаємодія між домішковими атомами бору і поверхневими обірваними зв’язками в поруватому кремнії: квантовохімічне моделювання [01022-1-01022-5]
22) Зростання острівцевих плівок під час конденсації за механізмом пара - рідина [01023-1-01023-7]
23) Енергетичний спектр системи локалізованих дворівневих квазічастинок, які взаємо-діють з поляризаційними фононами при кріогенних температурах [01024-1-01024-6]
24) Ідентифікація плазмонно-резонансних характеристик тонких металевих плівок [01025-1-01025-5]
25) Елемент пам’яті на основі молекули пероксиду [01026-1-01026-6]
26) Equivalent Circuit of Betavoltaic Structure on Silicon pn Diode [01027-1-01027-3]
27) Електричні властивості тонких плівок Cu2ZnSnSe4 і Cu2ZnSnSe2Te2 (S2) отриманих методом термовакуумного напилення [01028-1-01028-3]
28) Персоналії - Суходуб Леонід Федорович [01029-1-01029-2]
