Автори | Р.М. Пелещак , О.В. Кузик , О.О. Даньків |
Афіліація |
Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка, вул. Івана Франка, 24, 82100 Дрогобич, Україна |
Е-mail | dankivolesya@ukr.net |
Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 3 |
Дати | Одержано 05 березня 2019; у відредагованій формі 10 червня 2019; опубліковано online 25 червня 2019 |
Цитування | Р.М. Пелещак, О.В. Кузик, О.О. Даньків, Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 3, 03018 (2019) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(3).03018 |
PACS Number(s) | 61.46. – w, 43.35. + d |
Ключові слова | Міжвузлові атоми, Вакансії (3) , Лазерне опромінення (4) , Деформація (36) , Дифузія (34) . |
Анотація |
Розроблено теорію самоузгодженого деформаційно-дифузійного перерозподілу точкових дефектів (міжвузлових атомів та вакансій) у напівпровідниках під впливом імпульсного лазерного опромінення. Ця теорія враховує дифузію дефектів у неоднорідно-деформованому полі (створеному як наявністю самих дефектів, так і градієнтом температури) та нелокальну взаємодію між дефектами та атомами матриці. Встановлено, що залежно від інтенсивності лазерного опромінення, температури підкладки та характерної відстані дії лазерного променя на поверхні напівпровідника чи в його глибині можуть формуватися самоорганізовані наноструктури точкових дефектів. Проведені теоретичні розрахунки добре узгоджуються з експериментальними даними інших наукових робіт. |
Перелік посилань |