Формування графітових наноструктур на поверхні шаруватого кристалу n-InSe
| Автори | В.М. Водоп’янов, І.Г. Ткачук , В.І. Іванов , З.Р. Кудринський , З.Д. Ковалюк |
| Афіліація |
Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, Чернівецьке відділення, вул. І. Вільде, 5, 58001 Чернівці, Україна |
| Е-mail | lyutyy@oeph.sumdu.edu.ua |
| Випуск | Том 11, Рік 2019, Номер 3 |
| Дати | Одержано 19 квітня 2019; у відредагованій формі 10 червня 2019; опубліковано online 25 червня 2019 |
| Цитування | В.М. Водоп’янов, І.Г. Ткачук, В.І. Іванов, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 11 № 3, 03038 (2019) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.11(3).03038 |
| PACS Number(s) | 61.46. – w, 81.05.uf, 81.07. – b |
| Ключові слова | Наноструктури (23) , Графіт (16) , Селенід індію (13) . |
| Анотація |
Показано можливість формування графітових наноструктур на поверхні (0001) шаруватого напівпровідника InSe розпиленням у вакуумі. Монокристали InSe вирощувалися у кварцових ампулах методом Бріджмена із розплаву нестехіометричного складу In1.03Se0.97. Вони мали кристалічну структуру γ-політипу, n-тип провідності та концентрацією електронів ~ 1015 cм – 3 при кімнатній температурі. Підкладки для осадження вуглецю розміром 4(4(0.2 мм виготовлялися механічним сколюванням вздовж шарів InSe. Осадження матеріалу проводилось при температурах підкладки 300-400 °C і при опроміненні зони росту високоенергетичним ультрафіолетовим випромінюванням. Останнє генерувалося за допомогою галогенних ламп з кварцовою оболонкою. Додатково, для покращення формуванню зародків вуглецевих наноструктур, до підкладки прикладалася постійна електрична напруга. Вуглець розпилювався з електрода, який знаходився під позитивною напругою ~ 2800 В у вакуумі ~ 10 – 4 Па протягом 50 хвилин. Отримані структури представляють собою протяжні наноутворення довжиною декілька мкм. Їх розташування задається дислокаційною сіткою поверхні InSe. Висота вуглецевих наноструктур не перевищує 100 нм. Це забезпечує їх прозорість в широкому спектральному діапазоні. Крім того, такі наноструктури мають високу електричну провідність, малий коефіцієнт заломлення світла (~ 1.5) в області спектральної чутливості InSe, а на інтерфейсі графіт/n-InSe може утворюватися гетероперехід. Вирощені вуглецеві наноструктури сприяють розповсюдженню падаючого на поверхню InSe світла в глибину кристалу. В раманівських спектрах присутні піки, що характерні для кристалів (-InSe та графіту. Вони вказують на відсутність хімічної взаємодії між осадженим матеріалом і підкладкою, деяку пластичну деформацію підкладки та наявність великої кількості структурних дефектів у вуглецевих наноутвореннях. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Квантово-хімічне моделювання дивакансійних дефектів на поверхні алмазу С(100)-2×1 [03001-1-03001-6]2) Кристалічна структура, оптичні та провідні властивості наночастинок ZnO, легованих фтором [03002-1-03002-5]
3) Воднева обробка золотого контакту на кремнії [03003-1-03003-5]
4) Вимірювання температури стінки і ефекти на поверхні ракетного комплексa на основі напівпровідникового діода і електронної системи [03004-1-03004-7]
5) Вплив нуклеїнових кислот на окислення та фотолюмінесценцію поруватого кремнію [03005-1-03005-5]
6) Вплив сильного магнітного поля на енергетичні спектри двох донорів у сфалеритовій квантовій точці [03006-1-03006-4]
7) Електро- та теплопровідність потрійних композитів графітові нанопластинки/TiO2/епоксидна смола [03007-1-03007-7]
8) Вплив ультразвукового випромінювання на біологічні тканини: фізичні основи і технологічні принципи [03008-1-03008-4]
9) Структурні і фазові особливості формування квазікристалічних плівок Ti-Zr-Ni при нагріванні [03009-1-03009-4]
10) Модифікація дефектної структури кремнію під впливом радіації [03010-1-03010-6]
11) Вплив температури обробки на оптичні та морфологічні параметри органічного перовскіту CH3NH3PbI3, отриманого методом спрей-піролізу [03011-1-03011-4]
12) Структурні особливості формування пористого вуглецевого матеріалу, активованого гідроксидом калію [03012-1-03012-5]
13) Структурна інженерія і механічні властивості (Ti-V-Zr-Nb-Hf-Ta)N покриттів отриманих при різному тиску [03013-1-03013-6]
14) Полімерні матеріали, модифіковані напівпровідниковими речовинами, у вузлах тертя гальмівних пристроїв [03014-1-03014-8]
15) Вплив вакансій і пор, що виникають при опроміненні в поверхневому шарі металу, на струм польової емісії [03015-1-03015-5]
16) Електроосадження та механічні характеристики композитних покриттів Ni/SiC [03016-1-03016-5]
17) Визначення оптичних характеристик нанопокриттів з використанням перетворення Лоренца [03017-1-03017-6]
18) Просторовий перерозподіл міжвузлових атомів та вакансій у напівпровідниках під впливом імпульсного лазерного опромінення [03018-1-03018-6]
19) Вплив двовимірних дефектів на нефундаментальні втрати ефективності в сонячних елементах із мультикристалічного кремнію [03019-1-03019-5]
20) Поверхнево-бар’єрні структури Au/n-CdS: створення та електрофізичні властивості [03020-1-03020-6]
21) Золь-гель синтез, структура та оптичні властивості нікель-марганцевих феритів [03021-1-03021-5]
22) Дифузійне насичення сталі У8А в суміші порошків металів за участю хлористого амонію [03022-1-03022-7]
23) Особливості кристалізації аморфного срібла при 77 К в умовах лазерного ефекту Гершеля [03023-1-03023-4]
24) Моделювання ефективності сонячних елементів на основі гетеропереходу n-MgxZn1-xO/p-SnS із контактами ZnO:Al та ITO [03024-1-03024-7]
25) Використання методу мікродугового плазмового оксидування для підвищення антифрикційних властивостей поверхні титанового сплаву [03025-1-03025-5]
26) Тривимірні надзвичайно короткі оптичні імпульси в графені з неоднорідностями [03026-1-03026-4]
27) Температурні характеристики кремнієвого нанопровідного транзистора у залежності від товщини оксиду [03027-1-03027-4]
28) Енергетичний спектр сигналів акустичної емісії в сполучених суцільних середовищах [03028-1-03028-7]
29) Підвищення точності широкоапертурного фотометра на основі цифрової камери [03029-1-03029-6]
30) Електрофізичні властивості багатошарових плівкових систем на основі пермалою та срібла [03030-1-03030-4]
31) Вплив ультразвукової обробки на процеси фазоутворення в аморфному сплаві Fe76Ni4Si14B6 [03031-1-03031-4]
32) Модифікація оптичних властивостей поверхневих шарів та тонких плівок лазерною обробкою [03032-1-03032-5]
33) Оцінка впливу гідродинамічного режиму роботи грануляційного обладнання на нанопористу структуру гранул N4HNO3 [03033-1-03033-5]
34) Ефективний дизайн для копланарного суматора з нерівномірною точкою в технології клітинних автоматів [03034-1-03034-4]
35) Термостимульована люмінесценція і провідність кристалів β-Ga2O3 [03035-1-03035-7]
36) Вплив ортофосфорної кислоти на морфологію нанопористих вуглецевих матеріалів [03036-1-03036-6]
37) Формування впорядкованих масивів магнітних наночастинок з використанням різних методів отримання [03037-1-03037-5]
38) Огляд доступних теоретичних моделей для феромагнетизму за кімнатної температури в розбавлених магнітних напівпровідниках [03039-1-03039-3]
39) [05031-1-05031-1]
40) [05031-1-05031-1]
